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    • 大模型趋势下,数据管道内存需求日益增加
    • PMIC成为DDR5内存架构的关键组件
    • 内存集成PMIC或将成为趋势,DDR5面临涨价压力
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AI 2.0时代,服务器DDR5底层架构迎来变革

07/16 10:59
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生成式AI是当前最为显著的趋势,它主要得益于大语言模型(LLM)的成功和相关技术的发展。未来,AI的趋势将是多模态输入输出模型,即AI能够根据文本、图片或视频等多种指令,生成更复杂、更高阶的输出结果,为生成式AI的应用提供无限可能性。

AI大模型的复杂性和功能日益增强,离不开在线数据为模型训练提供的丰富资源。根据OpenAI的数据,自2012年以来,全球最大的AI训练项目所需计算量每年增长10倍。例如,ChatGPT的GPT-3版本使用了1750亿参数,而几个月后的GPT-4版本参数数量激增至1.5万亿。未来,要实现更加准确、全面且强大的AI模型,预计AI训练数据集还将保持高速增长。这也意味着,能够应对海量数据的服务器内存对于生成式AI的发展至关重要,更高带宽的内存成为必需。

大模型趋势下,数据管道内存需求日益增加

日前,Rambus宣布了DDR5服务器电源管理IC领域的突破,通过最新的芯片技术,可助力DDR5内存模块在目标功耗范围内实现更高水平的内存性能,满足数据管道日益增加的内存需求。

Rambus内存互连芯片业务部门产品营销副总裁John Eble以经过简化的AI训练管道为例介绍说,数据存储是起点,其中保存了大量的AI数据集,例如OpenAI的SDXL应用,使用了超过1亿张图片作为训练数据。到了数据存储阶段,因为GPU尚未参与到训练流程中,服务器主内存容量并没有达到夸张的量级。

随后进入数据准备阶段,数据需经过整理、正常化和验证,这一阶段主内存需求显著增加,大约需要1TB。例如,在SDXL训练网络架构中,图像需统一规格,以提高网络资源的利用效率,降低延迟并节省空间。

完成数据准备后,进入实际训练阶段,这是对GPU和内存需求最高的阶段。主内存容量通常需要是GPU内存的两倍,并且必须具备高带宽,以满足GPU的数据吞吐速度。

整个AI训练管道从数据采集、存储、准备、训练到最终形成推理模型,是一个连续的过程。“这仅是一个简化的训练流程,而实际应用中,一个集群或实例的内存容量可能是简化模型中所描述的数倍”,John Eble表示,“为了满足不断增长的数据管道日益增加的内存需求,需要更高带宽和容量的RDIMM。“

PMIC成为DDR5内存架构的关键组件

DDR5如何实现更高的内存性能?主要是更智能的DIMM(双列直插式内存模块)架构。与DDR4相比,DDR5内存采用采用了双通道架构,每个通道的数据流通道比特率达到32位,加上8位的ECC(错误校正码),确保了更高的存储和吞吐量,从而提升了内存性能。

其次,双通道RCD在主机端以DDR5 速度运行,与DRAM运行速度相同,使得每个引脚开关频率比 DDR4高出一倍多。此外还有频率速度的提升,DDR5的每通道最高频率速度可达8400MT/s,而根据JEDEC的最新数据,在DRAM规格中可以达到8800MT/s。

以上这些都表明,更高的数据传输速率至关重要。“这些因素共同促使我们决定采用专用的电源管理IC,来帮助控制更加精细的电压”,John Eble表示,“PMIC是DDR5内存架构的关键组件,可以实现更多的内存通道、更大容量的模组和更高的带宽。”

对比前几代产品将PMIC放在主板上的做法,DDR5 DIMM架构的主要变化之一是将PMIC集成到了内存模块。

为什么要将PMIC从主板挪到内存模块上?John Eble表示,从DDR4到DDR5,电压从1.2V降到1.1V,与此同时,数据传输速率更高,DDR5最高可以达到8800MT/s,而DDR4上限是3200MT/s。为了实现更高的数据传输速率,DDR5需要更严格且精准的电压范围。在电源配置变化的情况下,它需要非常低的噪音,而且需要在这些较低电压下保持可靠性。

将PMIC集成到内存模块的架构变化真正解决了电阻(IR)下降的问题。这与其他创新和DDR5 DIMM一起,使得内存带宽和容量得到了显著提升。

据了解,全新的DDR5服务器PMIC系列包含符合JEDEC超高电流的PMIC5020、高电流PMIC5000和低电流PMIC5010规范的产品。其中, PMIC5020将使未来几代 DDR5 RDIMM 的性能和容量达到新的基准。

通过全新的PMIC系列,Rambus可以支持多代基于 DDR5 的高性能服务器,提供完整的内存接口芯片组,包含 RCD、PMIC、SPD Hub、温度传感器IC。凭借在高性能内存领域积累30多年的经验,Rambus已成为RDIMM制造商的“一站式” DDR5 内存接口芯片供应商,能够为制造商提供最高级别的验证保证并加快其产品上市时间。

内存集成PMIC或将成为趋势,DDR5面临涨价压力

John Eble表示,业界已经经历了将PMIC集成到模块验证和认证中的学习曲线,并看到了由此带来的好处,他认为这将继续成为一种趋势。

在内存模块中集成PMIC,遵循了微电子行业将供电设备尽可能靠近使用点的趋势。DDR5 内存模块是第一个在内存模块上集成PMIC的主要内存类型,未来,随着对更高性能和电源效率的需求不断增长,可能会定义新型内存模块。而且,这些模块很有可能继续在模块上集成 PMIC,以进一步优化电源管理并提高整体系统性能。

谈及DDR5的价格走势,John Eble认为,现阶段,DDR5内存价格总体上还是在根据整个DRAM内存行业的供需关系正常运行着。去年对于DRAM行业来说是比较艰难的一年,有很多的资本支出计划被削减,所以就导致供应收紧。此外,某些细分市场(如人工智能的 HBM)的需求也在急剧增长。DRAM制造商所拥有的产能,都被分配给了这些利润丰厚的细分市场,而向其他内存类型分配产能会进一步紧缩供应。因此,从目前的情况来看,DDR5 的需求似乎大于供应,在供应恢复平衡之前,很可能会造成价格上涨的压力。

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