加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

07/10 09:31
884
阅读需 3 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能,确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测,未来五年GaN器件市场的年复合增长率(CAGR)将达到46%。

CoolGaN™ G3系列晶体管和CoolGaN™ G5系列晶体管

英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示:“这两个系列的发布是建立在英飞凌去年收购GaN Systems的基础之上,它们将为我们的客户带来更高的效率和性能。英飞凌新一代高压和中压CoolGaNTM系列展示了我们的产品优势,并且完全采用8英寸工艺制造,证明了GaN在更大晶圆直径上的快速扩展能力。我们期待客户通过这些新一代GaN器件推出各种创新应用。”

全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件,覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级,以及40 V双向开关(BDS)器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。

供货情况

CoolGaNTM 650 V G5将于2024年第四季度上市,CoolGaNTM G3中压产品将于2024年第三季度上市。样品现已开始供应。

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
TIC106M-S 1 Bourns Inc Silicon Controlled Rectifier, 3200mA I(T), 600V V(DRM)
暂无数据 查看
LQP15MN4N7B02D 1 Murata Manufacturing Co Ltd General Purpose Inductor, 0.0047uH, 2.128%, 1 Element, SMD, 0402, CHIP, 0402

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.21 查看
2-35109-1 1 TE Connectivity PIDG 12-10 R 10; TAPE

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.39 查看

相关推荐

电子产业图谱