晶圆级封装（WLP）工艺流程

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：晶圆级封装的工艺流程，可以详细说说吗?

什么是晶圆级封装？

晶圆级封装（Wafer-level packaging, WLP）是直接在晶圆上进行封装的技术。晶圆级封装相较于传统的封装技术，采用的是半导体制造的相关工艺。与传统封装不同的是，晶圆级封装是在切割晶圆成单个芯片之前，在整个晶圆上进行封装过程。

晶圆级封装的工艺流程？

如上图，是WLP Fan in的基本工艺流程：

1. Fab-out Wafer

晶圆准备，这是整个封装过程的起始步骤。首先要有一个经过制造过程完成的晶圆，上面已经形成了电路结构。在晶圆的表面的钝化层（Passivation Layer），用于保护晶圆表面的电路不受外界湿气，化学物质的影响。

2. Thin Film Deposition & Thick Photoresist (TPR) Coating

薄膜沉积：在钝化层上沉积一层金属薄膜，通常是Ti，Cu，Cr，Au等，作为电镀的金属种子层。厚光刻胶涂覆：在金属薄膜上涂覆一层厚光刻胶并曝光显影，该步将特定区域打开，有些部位则被光刻胶盖住。

3. Cu Electroplating

铜电镀：通过电镀工艺在已经图形化的光刻胶上电镀铜层。这一步是形成较厚的RDL，将PAD上的信号引出。

4. TPR Strip & Thin Film Etching

光刻胶去除：移除覆盖在不需要电镀的地方的光刻胶，暴露出下面的金属层。薄膜蚀刻：蚀刻掉未被光刻胶保护的金属薄膜部分，一般用湿法刻蚀的方法。

5. Dielectric Coating

介电层涂覆：在已经形成的金属结构上涂覆一层介电材料如氧化硅或PI等，以隔离金属层并保护它们不受外界环境的影响。

6. Ball Mounting

锡球安装：在介电层上的打开位置安装焊球。锡球用于实现芯片到电路板的电气连接。

至此，晶圆级封装工艺流程结束。

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