替代LTC4449高速N道沟MOSFET栅极驱动器

06/28 14:10 作者：集芯微电科技

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➢ 15ns 典型传播延迟

➢ 5ns 高侧/低侧匹配

➢ 轨至轨栅极驱动

➢ 自适应死区和直通保护

➢ 3A 峰值拉电流和 4.5A 峰值灌电流

➢ 驱动 2 颗 NMOS 组成的半桥

➢ 欠压保护

➢ 过热保护

PC4449是一款专为高频率、高效率的应用而开发，用于驱动2颗NMOS组成的半桥电路专用的栅极驱动器。其轨至轨输出的的驱动器可以降低高结电容MOSFE带来的开关损耗。

PC4449提供一个单独的逻辑供电与控制器电平做为匹配，使其可以兼容多种不同的信号电平。芯片包含欠压保护，可避免外部MOS管在低电压时工作异常。 PC4449提供自适应死区和直通保护，可以避免由于MOSFET交叠导通造成的损耗

➢ 同步降压型转换器

➢ 半桥、全桥、正激、推挽转换器

➢ 本产品采DFN2X3-8，封装尺寸约为2x3mm

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