SiC晶圆线封顶、100亿资金合作，该企业迎2大关键节点

6月18日，长飞先进在项目建设及融资合作方面上接连迎来2个关键节点：

● 长飞先进SiC武汉基地主体结构封顶；

● 与中国农业银行湖北省分行签署百亿战略合作协议。

长飞先进正在不断加快基础设施建设步伐，全面提升生产工艺水平，构筑了强大的金融保障支撑，同时联动上下游企业开展技术攻关，以促进国内碳化硅产业繁荣发展。

正式封顶，武汉基地建设迎来新阶段

6月18日，长飞先进武汉基地晶圆制造厂房楼顶完成浇筑，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地正式迎来主体结构封顶的关键时刻！

长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，于2023年9月1日正式动工，现已全面封顶，预计明年7月投产，届时将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。

据“行家说三代半”此前报道，该项目总投资预计超过200亿元，项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。

与中国农业银行签约，获100亿元意向性信用资金

6月18日，长飞先进与中国农业银行湖北省分行举行战略合作签约仪式，全面开启双方合作共赢新篇章。

基于本次战略合作，长飞先进与中国农业银行湖北省分行将进一步夯实合作基础，提升战略合作高度与力度。未来5年内，中国农业银行湖北省分行将为长飞先进提供100亿元意向性信用资金，包括但不限于信贷、并购、债券承销与投资等业务，全力支持长飞先进发展壮大。

长飞先进表示，此次战略合作协议的签订，不仅标志着双方合作迈向了新的历史高度，更为中国碳化硅产业的发展注入了新的活力和动力。以此强大金融保障为支撑，长飞先进将一往无前地驰骋在第三代半导体“黄金赛道”，持续加大新产品、新技术研发投入力度，在更高起点上为中国碳化硅产业高质量发展不断贡献智慧和力量。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。