替代 LMG1210 60V半桥MOSFET和GaN FET驱动器

1. 产品特性（替代LMG1210）

➢ 工作频率高达 10MHz

➢ 20ns 典型传播延迟

➢ 5ns 高侧/低侧匹配

➢ 两种输入控制模式

➢ 具有可调死区时间的单个 PWM 输入、 独立输入模式

➢ 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流

➢ 内置 5V LDO

➢ 欠压保护

➢ 过热保护

➢ 总剂量（TID）耐受： ≥100k rad(si)

➢ 单粒子锁定及烧毁对线性能量传输（LET）的抗干扰度： ≥75MeV*cm2/mg

2. 功能描述
3. 

PC1210是一款60V半桥GaN驱动器，专为高频率、高效率的应用而开发， 具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及5ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。芯片内置LDO，提供与电源电压无关的5V栅极驱动器电压。

PC1210具有两种输入控制模式：独立输入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中，每个输出都由专用输入独立控制。在PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，每个沿的死区时间可在10~100ns之间调节

3. 产品应用

➢ 同步降压型转换器

➢ 半桥、全桥、正激、推挽转换器

4. 裸芯片/封装简介

➢ 本产品为裸芯片，尺寸为2050µm×2050µm（含划片槽尺寸）