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5月27日，芯联集成官微宣布，其8英寸碳化硅工程批已于4月20日顺利下线。
据了解，芯联集成碳化硅基于平面栅极工艺技术，此次顺利下线也意味着8英寸碳化硅晶圆已经进入国产阶段。
据“行家说三代半”此前报道，该产线为6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片制造生产线，总投资金额为9.61亿元，项目全面建成后将形成6/8英寸碳化硅晶圆6万片/年的生产规模。
6月14日，芯联动力将出席“上海SiC大会”，并带来《国产车用SiC芯片在汽车领域的应用突破与进展》的主题报告。了解该公司的更多8英寸SiC产线进展，可以扫描下方二维码报名。
除芯联集成外，国内多家SiC企业也驶入了8吋SiC发展快车道：
● 三安：与意法半导体合资在重庆投建8英寸碳化硅外延、芯片项目，该项目已于5月18日（生活服务设施区）全面封顶；此外，三安还投资了70亿打造2条碳化硅衬底生产线，以匹配供应给安意法半导体。
湖南项目方面，三安湖南碳化硅半导体产业化项目二期正在稳步推进中，将全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模。
● 天岳先进：该公司董事会秘书钟文庆近日在业绩说明会上表示，他们的8英寸碳化硅衬底已实现批量化销售，未来公司还将通过多样化的融资方式继续扩大生产经营规模，并提高8英寸碳化硅产品的产能，抓住行业快速发展机遇。同时还将继续加大前瞻性技术的研发投入。
● 合盛硅业：5月14日，合盛硅业在业绩说明会上披露，其8英寸SiC衬底研发进展顺利，并实现了样品的产出，正在推进8英寸衬底的量产，计划今年二季度末实现8英寸衬底片量产。
● 南砂晶圆：正在布局8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目，该项目位于山东济南，由全资子公司中晶芯源负责建设，将进行碳化硅单晶生长和衬底加工生产，预计2025年实现满产达产。
● 希科半导体：5月13日，希科半导体宣布成功实现了国产8英寸SiC衬底上同质外延生长，正式具备8英寸SiC外延片量产能力。参数方面，其产品厚度不均匀性小于2%，掺杂浓度不均匀性小于4%，3mm*3mm管芯良率达到97%以上。
● 普兴电子：2023年12月，普兴电子总监张永强在行业论坛上分享了200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长的最新研究进展——其8英寸碳化硅外延片的新产品，解决了8寸衬底应力大、易开裂、外延均匀性及缺陷难控制等难点。厚度均匀性为0.6%，浓度均匀性为2.3%。
国际厂商方面，多家头部碳化硅晶圆企业在新增产能中都选择了8英寸碳化硅晶圆，其中英飞凌宣布投资50亿欧元扩建其位于马来西亚居林的晶圆工厂，计划打造其成为全球最大的8英寸碳化硅晶圆厂。
好消息是，英飞凌、三安、天岳、合盛、南砂晶圆、普兴及希科已确认出席6月14日在上海召开的“汽车&光储充与SiC技术大会”，届时，上述企业将在会上围绕8英寸碳化硅量产技术、车规级应用以及光储充应用等主题发布最新的技术报告。
“上海SiC大会”将是一场聚焦新能源汽车、光储充等SiC终端应用的行业盛会，行家说三代半在此简单地为大家介绍一下大会亮点：
● 亮点一：汇集多家终端玩家
本届大会已受到了小鹏汽车、东风汽车、奇瑞汽车、吉利、上汽、广汽、合众汽车、沃尔沃、徐工集团、麦格纳、汇川联合动力及锦浪科技等众多汽车及光储充终端企业的高度关注和支持，预计届时将有数百位行业精英参会。
● 亮点二：汇集国内外碳化硅芯片企业翘楚
同时，本届大会还汇聚了国内外碳化硅芯片企业翘楚，英飞凌、三安、芯联动力、扬杰科技以及蓉矽半导体等将悉数出席，带来10+场SiC技术演讲，话题将覆盖汽车电子、光储充等众多领域。
● 亮点三：汇集国内TOP碳化硅衬底/外延/设备企业
天岳先进、普兴电子、泰克科技、大族半导体、晶亦精微等SiC衬底/外延/设备也将出席，届时将围绕国产碳化硅量产技术、车规级应用以及光储充应用等热门议题发布最新技术报告。
在“圆桌论坛”环节，合盛新材料、中电化合物、科友半导体以及希科半导体等知名SiC玩家将围绕“衬底及外延材料国产供应链的机会与挑战”该议题进行精彩的思想碰撞
● 亮点四：SiC半导体全产业链精品展示区
会议同期，行家说还将重点打造“SiC半导体全产业链精品展示区”，将广邀业内知名的企业，全面展示产业链的最新技术，以期向观众呈现一场集行业交流、渠道联动、资源聚合于一体的行业顶尖盛会。
届时，蓉矽半导体、合盛硅业、扬杰科技、南砂晶圆、泰克科技、志橙半导体、希科半导体、高泰新材料、丰田通商及泽万丰等众多企业将展示最新技术和产品方案（持续更新中...）。
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