答:若要获得稳定的振荡电路,振荡电路IC的负电阻值(-R)至少为晶振等效阻抗的3~5倍以上,即绝对值|-R|>3~5*R。
举例来说:
如果晶振电路阻抗总值为30Ω,那么,我们建议IC的负电阻值需要至少在-150Ω,这样才能有效保障振荡回路的稳定性。
晶振振荡电路图
阅读全文
答:若要获得稳定的振荡电路,振荡电路IC的负电阻值(-R)至少为晶振等效阻抗的3~5倍以上,即绝对值|-R|>3~5*R。
举例来说:
如果晶振电路阻抗总值为30Ω,那么,我们建议IC的负电阻值需要至少在-150Ω,这样才能有效保障振荡回路的稳定性。
晶振振荡电路图
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS138NH6327 | 1 | Infineon Technologies AG | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
|
$0.14 | 查看 | |
C0805C475K4RACTU | 1 | KEMET Corporation | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 4.7uF, 16V, ±10%, X7R, 0805 (2012 mm), -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Unmarked |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
|
$0.26 | 查看 | |
FDV304P | 1 | Fairchild Semiconductor Corporation | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
|
$0.32 | 查看 |