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OTC辅听耳机,助听器专用芯片选型表

04/27 07:20
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随着社会老龄化程度的加深,听力受损人群的规模在不断扩大。与此同时,随着无线技术和智能技术的不断发展,助听器在音质、舒适度、易用性等方面得到了显著提升,也为助听器市场带来了新的机遇。作为听力辅助设备,助听器在OTC(非处方药)市场中的销售不断增长,预示着其巨大的市场潜力,这些因素共同推动了OTC助听耳机市场的需求增长。

以下是对助听器专用芯片的一些操作建议:

1.芯片选择与规格确定:首先,根据助听器的功能和目标用户群体的需求,选择适合的助听器专用芯片。这涉及到对芯片的性能指标、功耗、噪声抑制能力、失真率等参数进行评估和比较。

2.芯片集成与布线设计:将选定的助听器专用芯片集成到助听器的电路板上,并进行合理的布线设计。确保芯片与其他元件之间的连接可靠、布线简洁、避免信号干扰。

PST9600  DFN2*2/SOT23-6

单节锂电池充电+智能放电保护二合一集成芯片

充放电一体复合芯片

兼容大小 3mA-500mA 的可编程充电电流

放电过流 0.5A 保护

锂电池正极 PMOS 保护

锂电池正负极反接保护

 充电4.2V 预设充满电压

输入电源电压(VCC):8V

长时间短路保护,过载过流保护 ,过充保护,放电温度保护

电池2.8V欠压保护停机,充电自恢复 触发保护后,10秒自恢复

 PST9500   DFN2*2 充电内置锂电保护二合一集成芯片

  • 100mA 的可编程充电电流(低至 50mA 的涓流充电)
  • 放电过流 8A 保护
  • 可直接用于单节锂电芯,无需另加电池保护电路
  • 无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管
  • 充电2V 预设充满电压 ,高耐压18V
  • 过充电检测电压3V  ,过放电检测电压2.8V
  • 0V电池充电功能
  • 单灯使用时,充满后灯全灭充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电,充电状态输出引脚,热调节功能锂电池充电芯片内置锂电保护芯片
    型号 功能说明 充电截止电压 输入电压 充电电流 OVP VCC防反接 BAT防反接 NTC 封装形式
    PST9500  充电管理带锂电保护二合一复合芯片 DFN2*2
    PST9600 单节锂电池充电+智能放电保护二合一集成芯片 DFN2*2/SOT23-6
    PST4010 小容量电池,小电流充电 4.2V 4~9V 0.2A X X V X SOT-563
    PST4011 小容量电池,小电流充电 4.25V 4~12V 0.2A X X X X SOT23-5
    PST6067 耐压32V,BAT 脚耐压16V,节省输入RC,可过24V热插拔,0V充电,BAT-Vcc 电压防倒灌 4.05V 4.5V-28V 10mA-800mA

    可调

    6.5V X × SOT23-5
    PST6068 耐压32V,BAT 脚耐压16V,节省输入RC,可过24V热插拔,0V充电,BAT-Vcc 电压防倒灌 4.15V 4.5V-28V 10mA-800mA

    可调

    6.5V X × SOT23-5
    PST6069 耐压32V,BAT 脚耐压16V,节省输入RC,可过24V热插拔,0V充电,BAT-Vcc 电压防倒灌 4.15V 4.5V-28V 10mA-800mA

    可调

    6.5V X × SOT23-6
    PST6073 耐压32V,BAT 脚耐压16V,CE脚低电平开,高电平关,0V充电,BAT-Vcc 电压防倒灌 4.15V 4.5V-28V 10mA-1000mA

    可调

    6.5V X × DFN8(3*3)
    PST6075 耐压32V,BAT 脚耐压16V,CE脚低电平开,高电平关,0V充电,BAT-Vcc 电压防倒灌 4.15V 4.5V-28V 10mA-1000mA

    可调

    6.5V X DFN8(2*2)
    PST6221 耐压32V,BAT 脚耐压16V,CE脚低电平开,高电平关,0V充电,BAT-Vcc 电压防倒灌 4.2V 4.5V-28V 10mA-1000mA

    可调

    6.5V X DFN8(2*3)
    PST6561 耐压10V,浮充电压可调(最低 2.8V, 最高接近输入电压)0V充电,BAT-Vcc 电压防倒灌 4.2V / ADJ(2.8V-4.5V) 4.5V-5.8V 30mA-1000mA

    可调

    6.15V X × DFN8(2*3)
    OVP+OCP保护芯片
    型号 功能描述 耐压 OVP过压点 OCP过流点 导通阻抗 封装 替代型号
    PST14C1N 适用于5V电源口,过压自恢复,过流完全关断模式(上电恢复) 32V 6V固定 0.1~1.5A可调 220mR DFN2*2 BQ24311
    PST14C1S 适用于5V电源口,过压自恢复,过流完全关断模式(上电恢复) 32V 6V固定 0.1~1.2A可调 220mR SOT23-6 ET9528
    PST14C3 适用于24V热插拔,OVP+OCP 32V 6V固定 1.2A固定 250mR SOT-23 RY2334
    PST14C3S 28V热插拔,可替代保险丝PTC,过压过流可以外围电阻调整

    可自行打嗝重启(过流保护可自恢复)

    40V 6V固定/4V-20V可调 内置100mA-3A过流点/外置3A-8A过流点可调 85mR SOT23-6
    PST14C3D 28V热插拔,可替代保险丝PTC,过压过流可以外围电阻调整

    可自行打嗝重启(过流保护可自恢复)

    40V 6V固定/4V-20V可调 内置100mA-3A过流点/外置3A-8A过流点可调 79mR DFN2*2
    PST14C5N 用于5V/9V/12V电源口,过压自恢复,过流完全关断模式(上电恢复) 32V 6.8V固定/4V-16V可调 0.2~3A可调 55mR DFN2*2
    PST8206 36V-0.7A过压和过电流保护 36V 6V固定 0.7A - IOCP 1.35A SOT-23 低成本
    单极霍尔 PST254系列 DFN1006-3L/SOT-23/SOT-323/TO-92S 6V/低频(20Hz)/南极(S极性)
    锂电保护 PST1811A DFN1*1-4L 5V/0.3A应用,4.3V过充保护,2.8V过放保护,过流0.4A
    锂电保护 PST1828A DFN2*2-6L 5V/0.3A应用,4.3V过充保护,2.8V过放保护,过流0.4A
    单点触摸IC PST1233系列 DFN-6L、SOT23-6L CMOS输出/开漏输出,高/低电平有效
    稳压LDO PST9078系列 SOT23-3;SOT23-5 SOT89-3;DFN1x1-4L 超低IQ LDO高PSRR,低噪声,EN引脚

    MOS/SBD/ESD/TVS

    N/P Miller P/N Package BVdss (V) ID(A) VTH Vgs(V) Ron(4.5V)mO Ror(2.5VmO
    Min 25C Typ Max Typ Max Typ Max
    20V NMOS MN20NO13 DFN1006 20 0.8 0.7 1 ±12 130 180 360
    MN20ND03 DFN1006 20 2 0.65 1 ±10 36 50 47 70
    MN20F2N14MR DFN2*2-6L 20 8 0.7 1.1 ±10 10.5 14 13.5 19
    30V NMOS MN30N108 DFN1006 30 0.8 1.1 ±12 1200 1800 2500
    20V PMOS MP20N036 DFNI006 -20 -0.6 -0.4 -1 ±12 ±12 360 530
    MP20N012 DFN1006 -20 -2 -0.4 -1 ±12 ±12 120 150
    30V(ESD)

    NMOS

    MN30N108 DFN1212 30 0.8 1.1 ±12 1200 1800 2500
    Volgtage Miller P/N Package BVdss

    (V)

    ID(A) Vth (V) Vas(V) Ron(4.5V)mQ Ron(2.5V)mQ
    Min 25℃ Min Max Typ Max Typ Max
    12V PMOS MP12N23 DFN2*2 -15 -6 -0.4 -1 ±10 23 32 35 50
    20V-PMOS MP20T011 SOT23 -20 -2.8 -0.4 -1 ±12 118 145 165 230
    MP20T38MR SOT23 -20 4 -0.4 -1 ±12 38 50 51 70
    20V-NMOS MN20V018 SOT723 20 0.6 0.5 1.2 ±12 180 230
      MN20E13 SOT523 20 0.8 0.5 1.2 ±12 130 170 340
      MN20T36MR SOT23 20 2 0.4 1 ±10 36 50 47 70

     

    Device VRRM

    (V)

    IFSM

    (A)

    VF V)@IF(mA) IR(uA   VR(V)
    MS1D140 0.5 40 9 0.6 1000 1000 40
    MS3D140 0.2 40 9 0.6 1000 1000 40
    MS01N30 0.15 30 1 0.5 20 500 30

     

    物料型号 参数描述 封装 应用
    MESD3V3SF10B 3.3V 0402 ESD DFN1006-2L 音频ESD保护
    MESD3V3SF06B 3.3V 0201 ESD DFN0603 音频ESD保护
    MESD5V0UF10B 5V 0.5PF ESD 0402 DFN1006-2L USB信号线保护
    MESD5V0SF10B 5V 12PF ESD 0402 DFN1006 普通接口保护
    MESD5V0SF06B 5V 12PF ESD 0201 DFN0603-2L 普通接口保护
    MESD12VSF10B 12V 12PF ESD 0402 DFN1006-2L 电源口ESD保护
    MT12V1DZU 12V 浪涌TVS SOD123 充电口浪涌
    MTVS24VF20U 24V 5000W TVS DFN2020-3 充电口浪涌TVS
    MTVS15VZF16U 15V 1800W TVS DFN1610-2L 头戴耳机充电口浪涌TVS
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    MTVS18VZF16U 18V  1800W TVS DFN1610-2L 耳机充电口浪涌TVS

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IPW65R080CFDAFKSA1 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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1N4148W 1 Promax-Johnton Electronic Corporation Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, PLASTIC, SOD-123, 2 PIN
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