加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

TDK推出SmartEdgeMLTM赋能在6轴IMU上运行超低功耗的机器学习模型

04/25 07:21
2228
阅读需 6 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

TDK株式会社(东京证券交易所代码:6762)新近推出InvenSense SmartEdgeMLTM解决方案,这是一种先进的边缘机器学习解决方案,为用户提供了在可穿戴设备、可听戴设备、增强现实眼镜、物联网 (IoT) 等产品的传感器芯片上运行机器学习 (ML) 模型的新机遇。SmartEdgeML是首款在尺寸为2.5 x 3 mm的6轴运动传感器IMU(功耗<30 µA)上成功生成并运行机器学习模型的解决方案。

“ TDK的SmartEdgeML将会带来边缘机器学习市场的范式转变,因为它将允许开发人员、原始设计制造商(ODM)和原始设备制造商(OEM)仅仅依赖单颗IMU传感器芯片,就能通过机器学习来实现充分优化好的运动传感算法。能大幅减少传输到边缘处理器的原始数据量,从而延长设备的电池续航时间,保护数据隐私并减少系统延迟,”TDK株式会社旗下公司InvenSense运动传感器和软件业务部总监Sahil Choudhary表示。

TDK还公布了InvenSense SmartBug 2.0 (MD-45686-ML) 的上市时间。后者是一个由InvenSense ICM-45686-S IMU组成的多传感器无线模块,可作为用户开始使用InvenSense SIF机器学习软件和ICM-45686-S IMU的理想评估系统。

SmartEdgeML由以下三部分组成:

  • SIF(传感器推理框架)软件:SIF是SmartEdgeML的软件组成,是TDK提供的完整机器学习框架,为用户提供了一个可收集IMU传感器数据、选择自定义功能、构建机器学习模型、测试机器学习模型、并通过SmartBug 2.0在ICM-45686-S IMU上部署和运行这些模型的一站式解决方案。已测试的示例包括各种算法,比如运动分类(深蹲、开合跳、侧平举或俯卧撑)和手腕手势分类(打斗、转身、摇晃或静止)等。
  • ICM-45686-S IMU:这是SmartEdgeML的核心传感器芯片。SmartMotion ICM-45686-S是一款尺寸为2.5 x 3 mm的TDK BalancedGyro™系列IMU,能让机器学习的决策树模型以最低功耗(<30µA)在传感器内部运行这款新的IMU具有优异的温度稳定性和振动抑制能力,非常适合需要高性能和超低功耗机器学习算法的应用,比如增强现实和虚拟现实眼镜,光学防抖应用,无人机TWS耳机机器人等。
  • SmartBug 2.0(机器学习版本):MD-45686-ML这是SmartEdgeML的核心硬件平台,它配备ICM-45686-S 6轴运动传感器,并与SIF兼容。SmartBug 2.0的小尺寸和BLE + USB接口能让用户快速入门SIF,轻松使用从数据收集到构建ML模型,再到部署到ICM-45686-S IMU的所有功能,堪称入门使用SmartEdgeML的“神器”。

不到五分钟的时间,您就能学会如何在尺寸为2.5*3 mm的运动传感器上创建一个机器学习算法。

术语

  • 边缘机器学习:传感器芯片上运行的机器学习
  • IMU:惯性测量单元
  • IoT:物联网
  • SIF:传感器推理框架
  • TWS:真无线立体声

主要应用

  • 可听戴设备
  • 可穿戴设备
  • 增强现实眼镜
  • 物联网 (IoT)

主要特点和优势

  • 功能客制:用户能定义和定制自己偏好的应用场景,并五分钟内(使用AUTO模式)使用SIF构建运动传感器算法。用户还能根据其传感器算法要求配置自定义传感器设置、滤波器和功能。
  • 数据隐私:用户保有数据并使用这些数据集测试ML模型,不用再依赖传感器供应商收集数据。
  • 快速成型:SIF AUTO模式能让初学者在五分钟内学会创建ML模型。用户收集数据后,SIF会自动完成后续步骤。一旦模型/算法准备就绪并满足性能标准,TDK会提供一个集成指南,将最终算法成功运行到用户系统的ICM-45686-S IMU传感器上。这种基于IMU传感器端到端ML解决方案节省了数月的算法工作。
  • 超低功耗:SmartEdgeML解决方案的功耗可低至<30 µA。低功耗能延长边缘处理器设备的休眠时间,而且只需处理自传感器的智能数据,显著延长了电池的续航时间和MIPS周期。

主要数据

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
IPW65R080CFDAFKSA1 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

ECAD模型

下载ECAD模型
$14.51 查看
PT510 1 Sharp Corp Photo Transistor, 800nm,
暂无数据 查看
1N4148W 1 Promax-Johnton Electronic Corporation Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, PLASTIC, SOD-123, 2 PIN
$0.05 查看

相关推荐

电子产业图谱