SK海力士与台积电开发HBM4，三星慌了

SK海力士正与台积电合作，生产下一代高带宽存储器（HBM）并推进尖端封装技术。

SK海力士近日在台北与台积电签署技术合作谅解备忘录（MOU），并于4月19日宣布计划与台积电合作开发HBM4（第六代HBM），计划于2026年量产。

人工智能（AI）半导体市场最大客户英伟达（NVIDIA）正在从SK海力士采购用于人工智能计算任务核心的图形处理单元（GPU）的HBM，并将封装委托给台积电。

SK海力士表示，“作为AI存储器的全球领导者，我们将与台积电联手，带来HBM技术的又一次创新，我们将基于客户、代工厂和存储器三个方面克服存储器性能的限制，合作将取得突破。”

通过此次合作，两家公司将寻求提高安装在 HBM 封装底部的基础芯片的性能。HBM 在基础芯片顶部制造核心芯片（即单独的 DRAM 芯片），并使用穿硅电极 (TSV) 技术将它们垂直连接，基础芯片与GPU相连，起到控制HBM的作用。

此前，SK海力士使用自己的DRAM工艺制造基础芯片，直至第五代HBM HBM3E，但宣布计划从HBM4开始使用台积电的超精细逻辑边缘工艺添加各种系统功能。

HBM4 必须实现接近 HBM3 两倍的高速和高容量性能，为此，基础芯片必须执行系统半导体所需的各种功能，而不仅仅是像现有 HBM 那样简单地连接 DRAM 芯片和 GPU。这种类型的基片很难使用现有的通用 DRAM 工艺来制造。SK海力士相关人士表示：“通过与台积电合作，我们计划生产定制化HBM，满足客户对性能和功效的广泛需求。”

HBM是面向人工智能的超高性能DRAM（动态随机存取内存）产品，也是当下存储厂商的竞争焦点。而全球存储器供应由SK海力士、三星和美光三大存储巨头主导，其中，SK海力士以53%的市场份额占据绝对领导地位。

HBM通过垂直连接多个DRAM，可显著提升数据处理速度，实现小体积、高带宽和高速传输，满足高性能人工智能服务器GPU需求。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。