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6秒!故障发生时的极限响应,谁来守护

02/02 11:00
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汽车电气化推动了电子保险丝“eFuse”取代机械继电器熔断器,以实现更紧凑、更高效的解决方案。NIV3071 eFuse可保护下游电路免受过流、过温和接地短路事件的影响,并可通过开漏FAULT引脚提供故障指示器。该器件具有四个集成高侧通道,可以通过EN引脚独立控制,也可以并联在一起以用于更大的负载。该器件具有可配置的电流限制功能和导通时间,可支持多种负载。

汽车应用中的NIV3071

在汽车应用中使用NIV3071有几个优势。该器件采用6x5mm封装,与机械继电器和熔断器等传统解决方案相比,大大减少了所需的电路板面积。与这些传统解决方案相比,eFuse在发生故障时无需更换,因为其保护功能将同时保护器件和负载,从而在整个车辆中实现分布式区域控制架构。该器件有两个版本:锁存型和自动重试型。如果发生故障,锁存器件将锁闭,直到通过切换EN引脚或功率循环发送命令为止。自动重试器件将等待3ms,如果进入热关断保护,则会等待足够冷却芯片的时间,然后再尝试重新导通。

与传统保险丝相比,NIV3071的另一个优势是在发生故障时,其短路响应时间非常快,仅为6s。与图1所示的传统保险丝相比,这分别降低了峰值电流和功耗,对任何相关线束的峰值电流和额定功率都有益。此外,快速响应时间可防止输入电源电压骤降,从而保护任何安全攸关的负载以及使用同一电源的其他负载,如图2所示。

图1.左侧插片式保险丝,中心PTC,右侧NIV3071 eFuse

图2.同一电源上有多个eFuse

NIV3071由四个集成通道组成,可以独立驱动,也可以并联在一起,以提供更多负载电流,如图3所示。输入可以由不同的电源或公共电源供电。凭借这种灵活性,NIV3071可以通过同一器件轻松支持48V和12V负载。这在汽车应用中非常有利,因为通过一个器件即可保护ECU(电子控制单元)中的48V和12V负载。

图3.NIV3071的配置

该器件应与稳压电源搭配使用。由于该器件具有UVLO功能且无反向电流保护,因此不建议用在需要冷启动和抛负载(负载突降)的其他汽车应用。

动态特性和注意事项

导通时序

NIV3071 具有受控导通功能,可以通过导通延迟时间 (tDLY(On)) 和导通时间 (tRAMP(On)) 进行描述,如图4所示:

 

图4.NIV3071的导通时序

导通延迟时间定义为EN引脚达到其最大值的90%到输出端达到标称电压的10%之间的时间。导通时间定义为输出端达到标称电压的10%至90%之间的时间。如果EN引脚上出现任何瞬时电压尖峰,或者微控制器在加电时发送正确逻辑信号略有延迟,则导通延迟时间会用作去毛刺滤波器,以确保在预期导通时间安全启动负载。

导通时间功能可以通过外部电容进行配置。要正确使用导通时间功能,必须考虑负载类型。虽然对于容性负载来说,增加导通时间有助于减少浪涌电流尖峰,但对于阻性负载,随着输出电压上升,消耗的电流将持续增加。由于该直流电流和延长的输出导通时间会导致在器件上产生电压梯度,器件将消耗大量功率,并可能在器件完全导通之前进入热关断状态以保护芯片。这取决于输入电压、输出电压导通时间、负载电流曲线和环境温度。

浪涌电流控制

NIV3071 和安森美 (onsemi) 的其他eFuse具有浪涌电流控制功能,可限制导通容性负载时出现的峰值电流。该功能由一个外部引脚控制,该引脚可以保持开路,或者在dvdt引脚和地之间使用一个较小值的陶瓷电容。通过向该引脚添加电容,可以延长输出导通时间,从而降低峰值电流,可以表示为:

以下关系式可用于控制给定Cload下的峰值电流:

导通时间与 dv/dt 引脚电容的关系,TJ = -40°C

图 5.导通时间与 dv/dt 引脚电容的关系

使用上述公式和图5,用户可以设置导通容性负载时的最大浪涌电流。下面的图6和图7提供了一个测试用例:

图6.浪涌电流控制测试用例

图7.测试用例的测量结果

大容性负载和肖特基二极管

对于较大的容性负载(和低电流直流负载),可以在输出和输入之间放置一个肖特基二极管,如图 8 所示,以在器件关断时保护 eFuse 的体二极管免受过大反向电流的影响。一旦输入电压降至 UVLO 以下,器件就会关断,由于输出电容在完全放电之前维持输出电压,这会在器件上产生反向电压。与此同时,负电压对肖特基二极管进行偏置,提供了在器件周围放电的路径,如图 9 中的测量结果所示。

图8.使用肖特基二极管防止反向电流情况

图9.测量流经器件和外部肖特基二极管的电流

关闭感性负载

在输出端发生接地短路或过流故障事件期间,NIV3071可快速关断以同时保护器件和下游电路。如果电源路径中存在很大的电感(例如电缆),则快速关断将导致电压尖峰超过器件的额定电压。为了缓解这些电压尖峰,可以使用多种选项。可以在输入和接地端之间放置一个 TVS 二极管,而肖特基二极管可以作为续流二极管与负载并联放置。此外,RC缓冲电路可与负载并联使用。如果具体应用中的预期电感超过 5uH,则强烈建议使用外部肖特基二极管或缓冲器

随着汽车市场的电气化趋势不断升级,且48V系统越来越普及,NIV3071 在汽车应用中具有诸多优势。

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安森美

安森美

历史安森美半导体前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门,于1999年独立上市,继续生产摩托罗拉的分立晶体管,标准模拟和标准逻辑等器件。并购纪录2000年四月,完成收购Cherry Semiconductor。2006年,完成收购位于美国俄勒冈州Gresham的LSI Logic设计和制造设施。2008年一月,以184M美元完成收购美国模拟器件公司的稳压及热管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部门。2008年三月,以915M美元完成收购AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收购Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收购PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收购California Micro Devices。2010年六月,完成收购Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收购日本三洋电机的子公司三洋半导体(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收购赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor)的CMOS图像传感器业务部门。2014年五月,完成收购Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半导体和富士通半导体宣布战略合作(包括晶圆代工服务协议,及日本会津若松市富士通的8吋晶圆厂的10%权益。)2014年八月,以4亿美元完成收购总部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半导体完成收购Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥资24亿美元现金收购飞兆半导体公司。2016年八月,安森美半导体宣布已就出售点火IGBT业务给 Littelfuse 达成协议,出售其瞬态电压抑制二极管和开关型晶闸管产品线,售价共1.04亿美元现金。2016年九月,安森美半导体完成收购飞兆半导体公司。产品安森美半导体制造以下的各种产品:定制:ASIC;定制代工服务;定制ULP存储器;定制CMOS图像传感器;集成无源器件分立:双极晶体管;二极管和整流器;IGBT和FET;晶闸管;可调谐组件电源管理:AC-DC控制器和稳压器;DC-DC控制器、转换器和稳压器;热管理;驱动器;电压和电流管理逻辑:时钟产生;时钟及数据分配;存储器;微控制器;标准逻辑信号管理:放大器和比较器;模拟开关;音频/视频的ASSP;数字电位计;EMI/RFI滤波器;接口;光电、图像及触摸传感器产品部安森美半导体的各个产品部门:模拟方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高腾博),执行副总裁兼总经理图像传感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高级副总裁兼总经理电源方案部(PSG) – Bill Hall(贺彦彬),执行副总裁兼总经理解决方案工程中心日本:大阪; 东京中国:上海德国:慕尼黑中国台湾:台北美国:加州圣荷西; 俄勒冈州波特兰; 底特律韩国:首尔设计中心美国:亚利桑那州凤凰城(Phoenix)、亚利桑那州钱德勒(Chandler)、得州奥斯汀(Austin)、得州普莱诺(Plano)、罗德岛州东格林尼治(East Greenwich)、科罗拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、爱达荷州波卡特洛(Pocatello)、宾夕法尼亚州Lower Gwynedd、犹他州林顿(Lindon)、爱达荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯灵顿(Burlington), 滑铁卢(Waterloo)比利时:梅赫伦(Mechelen),奥德纳尔德(Oudenaarde),菲尔福尔德(Vilvoorde)法国:图卢兹(Toulouse)德国:慕尼黑罗马尼亚:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉发(Bratislava)爱尔兰:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布尔诺(Brno)韩国:首尔中国台湾:台北印度:班加罗尔(Bangalore),诺伊达(Noida)日本:岐阜市,群马菲律宾:德拉克市(Tarlac City)制造工厂美国:亚利桑那州凤凰城、亚利桑那州钱德勒、俄勒冈州Gresham、爱达荷州波卡特洛、爱达荷州楠帕、缅因州南波特兰加拿大:伯灵顿 (安大略省)比利时:奥德纳尔德捷克:Roznov中国:乐山、深圳、苏州日本:群马县、埼玉县羽生市、新潟县新潟市韩国:富川菲律宾:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿雾市马来西亚:森美兰州芙蓉市越南:边和市、顺安市社

历史安森美半导体前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门,于1999年独立上市,继续生产摩托罗拉的分立晶体管,标准模拟和标准逻辑等器件。并购纪录2000年四月,完成收购Cherry Semiconductor。2006年,完成收购位于美国俄勒冈州Gresham的LSI Logic设计和制造设施。2008年一月,以184M美元完成收购美国模拟器件公司的稳压及热管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部门。2008年三月,以915M美元完成收购AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收购Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收购PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收购California Micro Devices。2010年六月,完成收购Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收购日本三洋电机的子公司三洋半导体(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收购赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor)的CMOS图像传感器业务部门。2014年五月,完成收购Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半导体和富士通半导体宣布战略合作(包括晶圆代工服务协议,及日本会津若松市富士通的8吋晶圆厂的10%权益。)2014年八月,以4亿美元完成收购总部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半导体完成收购Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥资24亿美元现金收购飞兆半导体公司。2016年八月,安森美半导体宣布已就出售点火IGBT业务给 Littelfuse 达成协议,出售其瞬态电压抑制二极管和开关型晶闸管产品线,售价共1.04亿美元现金。2016年九月,安森美半导体完成收购飞兆半导体公司。产品安森美半导体制造以下的各种产品:定制:ASIC;定制代工服务;定制ULP存储器;定制CMOS图像传感器;集成无源器件分立:双极晶体管;二极管和整流器;IGBT和FET;晶闸管;可调谐组件电源管理:AC-DC控制器和稳压器;DC-DC控制器、转换器和稳压器;热管理;驱动器;电压和电流管理逻辑:时钟产生;时钟及数据分配;存储器;微控制器;标准逻辑信号管理:放大器和比较器;模拟开关;音频/视频的ASSP;数字电位计;EMI/RFI滤波器;接口;光电、图像及触摸传感器产品部安森美半导体的各个产品部门:模拟方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高腾博),执行副总裁兼总经理图像传感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高级副总裁兼总经理电源方案部(PSG) – Bill Hall(贺彦彬),执行副总裁兼总经理解决方案工程中心日本:大阪; 东京中国:上海德国:慕尼黑中国台湾:台北美国:加州圣荷西; 俄勒冈州波特兰; 底特律韩国:首尔设计中心美国:亚利桑那州凤凰城(Phoenix)、亚利桑那州钱德勒(Chandler)、得州奥斯汀(Austin)、得州普莱诺(Plano)、罗德岛州东格林尼治(East Greenwich)、科罗拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、爱达荷州波卡特洛(Pocatello)、宾夕法尼亚州Lower Gwynedd、犹他州林顿(Lindon)、爱达荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯灵顿(Burlington), 滑铁卢(Waterloo)比利时:梅赫伦(Mechelen),奥德纳尔德(Oudenaarde),菲尔福尔德(Vilvoorde)法国:图卢兹(Toulouse)德国:慕尼黑罗马尼亚:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉发(Bratislava)爱尔兰:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布尔诺(Brno)韩国:首尔中国台湾:台北印度:班加罗尔(Bangalore),诺伊达(Noida)日本:岐阜市,群马菲律宾:德拉克市(Tarlac City)制造工厂美国:亚利桑那州凤凰城、亚利桑那州钱德勒、俄勒冈州Gresham、爱达荷州波卡特洛、爱达荷州楠帕、缅因州南波特兰加拿大:伯灵顿 (安大略省)比利时:奥德纳尔德捷克:Roznov中国:乐山、深圳、苏州日本:群马县、埼玉县羽生市、新潟县新潟市韩国:富川菲律宾:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿雾市马来西亚:森美兰州芙蓉市越南:边和市、顺安市社收起

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