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2023Venture50揭晓,亿铸科技荣登新芽榜

2024/01/16
1945
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由清科创业(1945.HK)、投资界发起的2023Venture50评选结果正式发布,存算一体AI算力芯片的创领者亿铸科技从参选的4000多家企业中脱颖而出,入选新芽榜。

亿铸科技成立于2020年,是一家基于存算一体(存内计算)这一创新架构,面向数据中心云计算、中心侧服务器自动驾驶边缘计算等场景的AI大算力芯片公司,将忆阻器ReRAM与存算一体架构相结合,通过全数字化的芯片设计思路,在当前产业格局的基础上,提供了一条更具性价比、更高能效比、更大算力发展空间的AI大算力芯片换道发展新路径。

面对2023年ChatGPT掀起的人工智能大模型浪潮,亿铸科技又提出了“存算一体超异构”这一系统级创新方案,提供了一种能够适应未来算法快速变化、满足算力可持续发展需求的新思路,可以有效破解AI大算力发展困局。

目前,亿铸科技点亮了其首颗基于忆阻器RRAM的高精度、低功耗存算一体AI大算力POC芯片,成功迈出实现商业化落地的第一步。经第三方机构验证,该POC芯片基于传统工艺制程,能效比表现超出预期,证实了亿铸科技的创新切实可行。

Venture50评选(简称V50)由清科创业自2006年创办至今,历经十八年的发展与升华,现已成为中国高成长企业投资价值风向标。2023年V50基于企业不同发展阶段,设立风云榜、新芽榜及行业榜,聚集了万家创业项目、邀数百家投资机构、逾千位投资人评审。此次亿铸科技入选新芽榜也意味着其品牌创新力和高成长性再获投资界认可。

未来,亿铸科技将继续通过持续科技创新,助力AI算力实现更高性价比和更高价值,赋能更加智慧、包容和可持续发展的绿色未来,推动AI作为一个全新的生产要素,在更大范围内参与生产和生活,真正惠及千行百业。

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CRCW0805100RFKEA 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 100ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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IPD90P04P4L04ATMA2 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor,
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IPB65R190CFDATMA2 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, TO-263, D2PAK-3
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