12月18日,据“徐州高新发布”官微消息,汉轩微电子车规级功率器件制造项目已正式开工建设。
公告透露,该项目总投资约15亿元,占地面积68.8亩,总建筑面积约8万平方米,洁净室面积约1.4万平方米,将打造一座专注于车规级功率器件的晶圆代工厂,可满足6到8英寸晶圆的生产需求。
项目规划SiC MOS、VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT等多个工艺代工平台,投产后月产能可达6万片,年销售收入约13.8亿元。项目建成后将进一步完善本地半导体产业链布局,有力推动车规级功率器件国产化进程。
官网进一步介绍,该项目由汉轩微电子与乂易半导体联合发起,公司拥有SiC功率器件、BGBM化镀工艺、Multi-EPI工艺等多项成熟产品及技术,团队自有专有技术超过百项。本项目将积极推动设备、材料国产化,首条产线使用的国产设备预计超过20%,在生产原材料方面,预计国产化率将超过90%,
汉轩微电子董事长李雨庭表示,目前国内车规半导体器件供应受到严重挑战,通过在高新区的投资建厂,汉轩微电子将助力国产车规级功率器件发展,打破国外对车规级芯片和相关技术的垄断。
企查查显示,汉轩微电子成立于2023年3月,注册资本为1亿元,控股方为芯想半导体。芯想半导体成立于2023年10月,注册资本为0.5亿元,但随后向汉轩微电子投资9100万,持股比例达91%。这两家公司的法定代表皆为同一人,此外,该名人士也参与了对乂易半导体的投资,持股比例占31%。
值得关注的是,2023年10月,乂易半导体与徐州高新区政府签约无锡乂易车规级功率器件制造项目,总投资约11亿元,计划年产SiC SBD、GaN、SiC MOS等共计约36万片,项目完全达产后,预计年销售收入约11.5亿元。