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半导体存储器的产业链划分、主要生产基地、分类、性能及应用范围对比

2023/11/10
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一、存储产业链划分

  • 晶圆:三星、美光、海力士、西数、铠侠、长鑫等。
  • 主控芯片:慧荣、联芸、Marvell、群联电子、德明利等,前三家分别占比57.69%、16.67%、15.38%。
  • 封装测试厂:日月光、通富微电等,厂商较多。
  • 模组厂:金士顿、威刚、闪迪、创见、江波龙等。

二、存储器主要生产基地

    • 韩国
      • DRAM:三星(华城市、平泽市)海力士(利川)
      • NAND Flash:三星(华城市、平泽市)海力士(清州、利川)
    • 日本
      • DRAM:美光(广岛)
      • NAND Flash:铠侠(四日市、岩手县)西部数据(四日市、岩手县)
    • 美国:美光DRAM和NAND Flash
    • 中国
      • DRAM:海力士(无锡)长鑫(合肥)
      • NAND Flash: 三星(西安)长江存储(武汉)Soliddigm(大连)
    • 台湾地区:DRAM:美光(桃园、台中)南亚(桃园)
    • 新加坡:美光NAND Flash

三、半导体存储器的分类

  • 易失性存储器
    • 断电后无法保留存储信息
    • SRAM:静态随机存储器,不需要定期刷新。
    • DRAM:动态随机存储器,需要在数据改变或断电前进行周期性充电,保持电势,否则会丢失数据。细分市场:智能手机服务器和 PC,占比分别为 35%、33%和 16%。
  • 非易失性存储器
    • 断电后可以保留存储信息。
    • NOR Flash

      (1)主要由中国台湾的华邦、旺宏以及大陆的GD三家厂商主导,2021年市占率分别为35%、33%、23%。厂商产品各有侧重,比如华邦和旺宏更侧重于工业控制领域,Cypress则布局工业、航天和车用市场。

      (2)细分市场:通讯、消费电子、车载电子、电脑和工业控制,占比分别为 30%、26%、18%、14%和 12%。

    • NAND Flash
      (1)按照颗粒密度差异可以分为 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,从前至后读写速度、存储稳定性、使用寿命依次递减,存储密度、价格性价比依次递增。全球出货占比分别为为0.19%、10.17%、80.34%、9.30%。
      (2)大容量 NAND Flash主要由海外五大巨头占领,2023 年第一季度三星电子、铠侠、西部数据、海力士、美光的份额占比分别为 34%、22%、15%、15%、10%,SLC NAND 主要是中国台湾和大陆厂商,包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新
      (3)细分市场:eMMC(手机)、eSSD(服务器)、cSSD(PC)、存储卡/UFD等,占比分别为34%、26%、22%、9%。
    • PROM分为EPROMEEPROM

四、存储器性能和应用范围对比

  • NAND Flash:存储阵列由存储单元通过串联方式连接而成,擦除以“页”为单位,具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点,广泛应用于固态硬盘(SSD)、手机、平板、服务器、USB 驱动器和存储卡等。
  • NOR Flash:存储阵列通过各存储单元通过并联方式连接,在按位快速随机读取数据的同时,允许系统直接从存储单元中读取代码执行,具有芯片内执行、读取速度快的特点,应用于可穿戴设备、移动终端等。
  • DRAM:读写速度快,常用于系统硬件运行内存,对系统指令和数据进行处理。

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