TRinno，IGBT命名规则

IGBT技术应用领域与行业现状介绍 - TRinno的IGBT单管和IGBT模块命名规则

简介：

深圳市浮思特科技有限公司，是TRinno的一级代理。TRinnoTechnology，韩国IA集团下专注功率器件研发和生产的企业，主打产品是汽车级的IGBT、Power MOSFET和SiC。本文将向您解释TRinno的IGBT单管和IGBT模块的命名规则，同时介绍IGBT产品的应用领域和行业现状。

一、TRinno产品IGBT系命名

我们已具体的产品为例

1.IGBT Discrete，产品型号TGAN40N60F2DS

A：TRinno Technology

B：Product Family

M:Planar MOSFET/S:Super Junction MOSFET/MC:SiC MOSFET

G:IGBT/D:DIODE/DC:SiC DIODE/N:Trech MOSFET

C：Package Type

B/D/U:D2-PAK/D-PAK/I-PAK

P/PE:TO-220/TO-220F

A/AN/AF/H/L:TO-3PN/TO-3PF/TO-247/TO-264

D：Current Rating/On-resistance（RDS（on），max）

Superjunction MOSFET:maximum on-resistance(mΩ)

Others：Current Rating(A)

E：Channel Polarity / DIODE Speed

MOSFET/IGBT:N(N-type),P(P-type),S(Reverse conducting IGBT),R(On-resistance)

DIODE:A(Low Vξ)，B（Standard），C（Low Qrr）

F：Voltage Rating

Absolute voltage rating divided by ‘10’

G：Generation/Technology

MOSFET:No suffix(1st gen.),A(2nd gen.)

IGBT:N(Non Punch Through),F(Fieldstop),P(Punch Through)

F2/F3/Fx(Fieldstop:2nd/3rd/...Generation)

H：Option

MOSFET:Z(G-S Zener Diode),S(Fast Recevery)

IGBT:C(SiC Diode),D(Anti-parallel Diode),L(Low Vce,sat),

R(Short Circuit Rated),S(Fast Switching),W(for Welder)

DIODE:DN(Common Cathode),DP(Common Anode)

PACKAGE:G(Halogen Free)

2.IGBT Module，产品型号TPM100GB120RS

A：TRinno Technology

B：Product Module

PM(Power Module),PIM(Power Integrated Module)

C：Current Rating

D：Topology

GB(IGBT Bridge type),R(Bridge + C/B + 3-phase)

E：Vlotage Rating（divided by ‘10’）

F：Package Type

R(34mm),K(62mm),M3(EconoPower3),W2(EasyPower2)

G：IGBT Technology

N(NPT),F(FS)

如果大家看文字不清晰，可以直接参考如下图片：

二、IGBT技术应用领域介绍

IGBT作为功率半导体器件，在多个领域都具有广泛的应用。以下是一些典型的应用领域：

电力电子应用：

IGBT在变频空调、电动机驱动、电力逆变器等方面被广泛应用，提高了能源利用效率和节能效果。

在电力输配电领域，IGBT可以实现高效的变频调节，提升电网稳定性和可靠性。

电动汽车和交通运输：

IGBT作为电动汽车中的重要组成部分，用于电动驱动系统和电池充放电控制，帮助提升电动汽车的性能和续航里程。在城市轨道交通和高铁等交通运输领域，IGBT技术也发挥着关键作用，提升了列车的运行效率和节能环保。

可再生能源：

IGBT在风力发电和太阳能发电系统中，用于电能转换和逆变，帮助实现清洁能源的高效利用。在能源存储系统中，IGBT用于电池充放电控制，实现对电能的有效管理。

工业自动化和机械控制：

IGBT技术在工业自动化和机械控制领域中，用于驱动高功率电机和执行器，提高生产效率和自动化程度。

三、IGBT行业现状介绍

IGBT技术作为功率半导体器件的代表之一，近年来得到了迅速发展。以下是IGBT行业的一些现状和趋势：

技术进步：

随着材料科学、封装技术和设计优化的不断发展，IGBT技术的性能和可靠性得到了持续提升。IGBT的开关速度不断增加，功率密度逐渐提高，使得应用领域更广泛。

应用拓展：

IGBT技术在电力电子、电动汽车、可再生能源等领域的应用不断拓展，有望在更多领域取得突破。新兴领域如新能源车辆、高速列车、5G通信等对高性能、高可靠性的IGBT需求逐渐增加。

国际市场竞争：

国际市场上，IGBT技术领域存在激烈的竞争。TRinno作为专业的IGBT供应商，致力于提供高质量的产品和技术支持，满足不同客户的需求。

结尾：

大家了解了IGBT技术的应用领域和行业现状，也希望大家对TRinno作为专业汽车级IGBT研发、生产商的优势有更深的兴趣。深圳市浮思特科技有限公司作为TRinno的一级代理商，致力于为客户提供高性能、高可靠性的IGBT单管和IGBT模块，以满足各种应用场景的需求。如果您对我们的产品或方案感兴趣，可随时联系我们索要产品资料和方案匹配服务。