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TRinno,IGBT命名规则

2023/11/08
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IGBT技术应用领域与行业现状介绍 - TRinno的IGBT单管和IGBT模块命名规则

简介:

深圳市浮思特科技有限公司,是TRinno的一级代理。TRinnoTechnology,韩国IA集团下专注功率器件研发和生产的企业,主打产品是汽车级的IGBT、Power MOSFETSiC。本文将向您解释TRinno的IGBT单管和IGBT模块的命名规则,同时介绍IGBT产品的应用领域和行业现状。

一、TRinno产品IGBT系命名

我们已具体的产品为例

1.IGBT Discrete,产品型号TGAN40N60F2DS

A:TRinno Technology

B:Product Family

M:Planar MOSFET/S:Super Junction MOSFET/MC:SiC MOSFET

G:IGBT/D:DIODE/DC:SiC DIODE/N:Trech MOSFET

C:Package Type

B/D/U:D2-PAK/D-PAK/I-PAK

P/PE:TO-220/TO-220F

A/AN/AF/H/L:TO-3PN/TO-3PF/TO-247/TO-264

D:Current Rating/On-resistance(RDS(on),max)

Superjunction MOSFET:maximum on-resistance(mΩ)

Others:Current Rating(A)

E:Channel Polarity / DIODE Speed

MOSFET/IGBT:N(N-type),P(P-type),S(Reverse conducting IGBT),R(On-resistance)

DIODE:A(Low Vξ),B(Standard),C(Low Qrr)

F:Voltage Rating

Absolute voltage rating divided by ‘10’

G:Generation/Technology

MOSFET:No suffix(1st gen.),A(2nd gen.)

IGBT:N(Non Punch Through),F(Fieldstop),P(Punch Through)

F2/F3/Fx(Fieldstop:2nd/3rd/...Generation)

H:Option

MOSFET:Z(G-S Zener Diode),S(Fast Recevery)

IGBT:C(SiC Diode),D(Anti-parallel Diode),L(Low Vce,sat),

R(Short Circuit Rated),S(Fast Switching),W(for Welder)

DIODE:DN(Common Cathode),DP(Common Anode)

PACKAGE:G(Halogen Free)

2.IGBT Module,产品型号TPM100GB120RS

A:TRinno Technology

B:Product Module

PM(Power Module),PIM(Power Integrated Module)

C:Current Rating

D:Topology

GB(IGBT Bridge type),R(Bridge + C/B + 3-phase)

E:Vlotage Rating(divided by ‘10’)

F:Package Type

R(34mm),K(62mm),M3(EconoPower3),W2(EasyPower2)

G:IGBT Technology

N(NPT),F(FS)

如果大家看文字不清晰,可以直接参考如下图片:

二、IGBT技术应用领域介绍

IGBT作为功率半导体器件,在多个领域都具有广泛的应用。以下是一些典型的应用领域:

电力电子应用:

IGBT在变频空调、电动机驱动、电力逆变器等方面被广泛应用,提高了能源利用效率和节能效果。

在电力输配电领域,IGBT可以实现高效的变频调节,提升电网稳定性和可靠性。

电动汽车和交通运输:

IGBT作为电动汽车中的重要组成部分,用于电动驱动系统和电池充放电控制,帮助提升电动汽车的性能和续航里程。在城市轨道交通和高铁等交通运输领域,IGBT技术也发挥着关键作用,提升了列车的运行效率和节能环保。

可再生能源

IGBT在风力发电和太阳能发电系统中,用于电能转换和逆变,帮助实现清洁能源的高效利用。在能源存储系统中,IGBT用于电池充放电控制,实现对电能的有效管理。

工业自动化和机械控制:

IGBT技术在工业自动化和机械控制领域中,用于驱动高功率电机执行器,提高生产效率和自动化程度。

三、IGBT行业现状介绍

IGBT技术作为功率半导体器件的代表之一,近年来得到了迅速发展。以下是IGBT行业的一些现状和趋势:

技术进步:

随着材料科学、封装技术和设计优化的不断发展,IGBT技术的性能和可靠性得到了持续提升。IGBT的开关速度不断增加,功率密度逐渐提高,使得应用领域更广泛。

应用拓展:

IGBT技术在电力电子、电动汽车、可再生能源等领域的应用不断拓展,有望在更多领域取得突破。新兴领域如新能源车辆、高速列车、5G通信等对高性能、高可靠性的IGBT需求逐渐增加。

国际市场竞争:

国际市场上,IGBT技术领域存在激烈的竞争。TRinno作为专业的IGBT供应商,致力于提供高质量的产品和技术支持,满足不同客户的需求。

结尾:

大家了解了IGBT技术的应用领域和行业现状,也希望大家对TRinno作为专业汽车级IGBT研发、生产商的优势有更深的兴趣。深圳市浮思特科技有限公司作为TRinno的一级代理商,致力于为客户提供高性能、高可靠性的IGBT单管和IGBT模块,以满足各种应用场景的需求。如果您对我们的产品或方案感兴趣,可随时联系我们索要产品资料和方案匹配服务。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
TGAN40N60F2DS 5000 特瑞诺 未精准适配到当前器件信息,点击查询推荐元器件
TPM100GB120RS 5000 特瑞诺 未精准适配到当前器件信息,点击查询推荐元器件
TDAF30A65 5000 特瑞诺 未精准适配到当前器件信息,点击查询推荐元器件
TGAN20S135FD 5000 特瑞诺 未精准适配到当前器件信息,点击查询推荐元器件

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