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TVS二极管与Zener二极管同样作为过压保护， TVS着重浪涌电压的钳位保护，具有抗大电流冲击的能力;Zener管着重于稳压效果，具有浪涌电流小，保护电压稳的特点，两者在原理与保护特性有所区别，同时在个别应用领域又能一定程度的互换。
一、齐纳击穿
当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子--空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿，把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。
二、雪崩击穿
随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压Vbr时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子--空穴对。
这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子--空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。
雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。
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