美光推出基于1β技术的DDR5内存，速率高达7,200MT/s

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布已将业界领先的1β（1-beta）制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的美光DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术[[[] JEDEC可选的SRX/NOP时钟同步（CLK_SYNC）功能旨在减轻美光1βnm器件支持的四相时钟架构中主处理器与DRAM之间的工作周期失真效应。]]，相比上一代产品，性能提升高达50%[[[] 基于理论最大带宽，器件级性能提升为（7200-4800）/4800。]]，每瓦性能提升33%[[[] 每瓦性能（理论最大带宽，器件级）：Y52K 7200MT/s与Y32A 4800MT/s。根据预测的Gstress总线利用率7200MT/s（58%）计算，并在SPR E-step系统中测量。]]。

随着CPU内核数量的不断增加以满足数据中心工作负载需求，系统对更高的内存带宽与容量的需求也显著增长，从而在应对“内存墙”挑战的同时优化客户的总体拥有成本。美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展，能支持数据中心和客户端平台上的人工智能（AI）训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库（IMDB）等应用。全新1β DDR5 DRAM产品线提供速率从4,800 MT/s到7,200 MT/s的现有模块密度，能够满足数据中心和客户端的应用需求。

美光核心计算设计工程部门企业副总裁Brian Callaway表示：“面向客户端和数据中心平台的1β DDR5 DRAM量产及出货，标志着行业的一个重要里程碑。我们与生态系统合作伙伴及客户紧密合作，将推动高性能内存产品的市场普及。”

美光的1β技术已应用至公司广泛的内存解决方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5内存将通过直销及渠道合作伙伴供货。

行业引语：

华硕消费性产品事业处协理陈奕彰表示：“华硕是消费类和游戏应用领域高性能笔记本电脑的领导厂商。内存子系统向DDR5过渡是华硕重点关注的领域。我们很高兴推出搭载美光1β DDR5内存的华硕和ROG笔记本电脑，从而为客户提供卓越的用户体验。”

Ampere Computing首席产品官Jeff Wittich表示：“Ampere的云原生处理器搭载美光领先的1β DDR5提供了一流的计算解决方案，能够满足超大规模数据中心的性能、可扩展性和功耗需求。在AmpereOne™平台上使用速率高达7,200MT/s的美光1β DDR5，将持续推动人工智能、机器学习和所有高性能计算应用的发展。”
Cadence 高级副总裁兼IP事业部总经理Boyd Phelps表示：“我们很高兴与美光合作，利用我们业界领先的DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3 IP系统解决方案搭配美光先进的内存产品组合，为针对特定应用进行优化的下一代平台提供支持。通过搭载美光先进的1β DDR5内存，我们评估和验证了高性能DDR5 IP速率可高达7,200MT/s。”