格芯和 Microchip 宣布Microchip 28纳米SuperFlash® 嵌入式闪存

广泛部署的非易失性存储器 （NVM）解决方案针对单片机（MCU）、智能卡和物联网芯片进行了优化

格芯（GlobalFoundries）与Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology® （SST®）今日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。

在实施SST广泛部署的ESF3 SuperFlash技术方面，格芯确立了新的行业基准。该实施方案具有以下功能和优势：

• 成本最低的28纳米HKMG ESF3解决方案，仅增加了10个掩模，包括真正的5V IO CMOS器件
• SST ESF3 位单元尺寸小于 0.05 平方微米，极具竞争力
• 工作温度额定值为−40°C至125°C
• 读取访问时间为25 ns 、编程时间为10 us、擦除时间为4 ms
• 超过100,000次编程/擦除循环的耐用性
• 不影响使用GF 28SLPe平台合格IP的设计流程（EG 流程）
• 可立即提供4 Mb至32 Mb 的现成宏程序
• 可从SST或GF获得定制宏设计支持

随着边缘智能化水平的不断提高，嵌入式闪存的用例也呈爆炸式增长。 在家庭和工业物联网以及智能移动设备的广泛应用中，用于安全代码存储、OTA更新和增强功能的嵌入式内存正呈上升趋势。满足这些需求需要创新的平台。

格芯首席业务部官员Mike Hogan表示：“格芯很荣幸能与SST合作，在我们强大的28SLPe平台上开发、认证并投产这款令人印象深刻的嵌入式NVM解决方案。格芯的客户发现，这款解决方案集高性能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益于一身，非常适合先进的MCU、复杂的智能卡以及面向消费和工业产品的物联网芯片。”

Microchip 授权业务部兼SST副总裁Mark Reiten表示：“过去十年，SST与格芯紧密合作，将SST的行业标准ESF1和ESF3 嵌入式闪存技术集成到格芯的130纳米BCD、55 纳米、40 纳米以及当前的28 纳米制程平台并实现产品化。我们钦佩格芯在提供最广泛的嵌入式NVM解决方案方面的领先地位，期待双方的紧密合作关系在未来十年带来更多突破。”

在今天于慕尼黑举行的格芯 GTS峰会期间，SST在IP合作伙伴区展出其嵌入式闪存技术。