GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展

全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年发表的 3.2kW 人工智能(AI) 服务器电源供应器来看，改采用最新第四代平台，不仅效率超过钛金级能效标准，功率密度更从 100W/in3 提升至 120W/in3。

GaN Systems第四代平台将为消费电子、数据中心、光伏、工业及汽车等应用场域带来突破性的革新。相较硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化镓产品，该第四代平台能進一步降低的物料清单 (Bill-of-Material) 成本，提供卓越成本效益。GaN Systems作为氮化镓功率器件首选供货商，致力于协助客户创造市场差异化，巩固竞争优势。

「我们的主要客户已认可第四代氮化镓平台的优势。该平台充分体现 GaN Systems 致力于突破产品性能，实现下世代能效水平的承诺，」GaN Systems 全球执行官 Jim Witham表示，「面对市场的瞬息万变，GaN Systems 透过深化与像台积电这样的产业领导公司间的策略合作关系，持续投资研发，提供能满足客户需求的解决方案。」GaN Systems 正引领全球电源产业的转型，在产品组合完整度、封装技术创新、功能丰富度、及性能表现上皆拥有领先优势。

功率电子技术的大跃进

GaN Systems 第四代氮化镓平台提供以下优势：

• 输入/输出质量因子提升超过 20%，实现更低的损耗、效率优化及卓越成本效益。
• 提供包括 PDFN、TOLL、TOLT 及嵌入式 (Embedded) 等不同封装选项，针对不同应用搭配最适当的 Rds 阻抗和封装组合，实现卓越电气和热性能表现。
• 700V 氮化镓E-mode晶体管提供当前业界最高的瞬态电压额定值，达850V，大幅提升整体系统可靠性及稳健性，此额定值使半导体组件能够承受用户环境中的异常情况，如电压突波，确保不间断且可靠的性能。
• 提供适用于 20W 到 25,000W 电源系统的导通电阻。