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选择氮化镓芯片时，根据应用的需求，确定所需的性能指标，包括功耗、频率、工作温度范围等。不同型号的氮化镓芯片有不同的性能特点，需要根据具体的应用场景选择合适的型号。考虑芯片的可靠性和稳定性，包括寿命、耐压、抗干扰等方面的指标。特别是对于一些长期运行或者在恶劣环境下工作的应用，可靠性是一个非常重要的考虑因素。选择一家有良好供应链和技术支持的厂商，以确保能够及时获取所需的芯片和技术支持。同时，考虑厂商的声誉和市场份额，以确保产品的质量和可靠性。
考虑芯片的价格和性能之间的平衡，选择性价比较高的芯片。在考虑成本时，还需要考虑一些隐藏成本，如开发工具、测试和验证等。芯片所在的生态系统和可扩展性，包括软件支持、开发工具、第三方支持等。一个完善的生态系统可以提供更好的开发和支持环境，同时也能够提供更多的选择和解决方案。选择氮化镓芯片需要综合考虑性能需求、可靠性、供应和支持、成本和性价比、生态系统和可扩展性等多个因素，根据具体应用的需求进行权衡和选择。
KT65C1R200D是一个650V，200米Ω 采用8x 8 DFN封装的氮化镓（GaN）FET。这是一款常关器件，将KeepTops最新的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，提供卓越的可靠性和性能。将 650V 增强型氮化镓晶体管及其驱动器封装在一个芯片内部，降低了氮化镓快充产品开发门槛，丰富了合封氮化镓电源芯片市场。
KT65C1R200D 是一款集成 650V 增强型氮化镓晶体管及驱动器的合封氮化镓芯片，耐压 650V，导阻 400mΩ，最大漏源极电流 7A，单极正电压门极驱动电压 0V~6V，支持3.3V和5V控制信号，开关速度超10MHz，具有零反向恢复损耗。
产品采用与单GaN管相同的 DFN8x8 封装，具备很强的通用性，相比传统分离驱动方案，可节省约40%占板面积；此外，采用合封氮化镓芯片可有效减少驱动回路走线，降低寄生参数，应用极限频率更高
Keep Tops凭借在氮化镓领域的先发优势，敢于人先，在氮化镓器件设计、产品封装和测试领域先后实现技术突破，使其在功率氮化镓及其驱动领域具备强大的竞争力。
