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东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

2023/08/31
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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装碳化硅SiCMOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品于今日开始批量出货。

新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。

东芝将继续扩大自身产品线,进一步契合市场趋势,并助力用户提高设备效率,扩大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆变器

使用SiC MOSFET的3相逆变器

简易方框图

  • 应用:

开关电源服务器数据中心通信设备等)

电动汽车充电站

光伏变频器

不间断电源UPS

  • 特性:

4引脚TO-247-4L(X)封装:

栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,可降低开关损耗

第3代碳化硅MOSFET

低漏源导通电阻×栅漏电荷

二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)

  • 主要规格:

(除非另有说明,Ta=25℃)

注:

[1] 截至2023年8月

[2] 截至2023年8月,东芝测量值(测量条件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25℃)

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东芝集团创立于1875年,致力于为人类和地球的明天而努力奋斗,力争成为能创造丰富的价值并能为全人类的生活、文化作贡献的企业集团,东芝集团业务领域包括东芝电脑、东芝半导体&存储产品、 个人与家庭用产品、服务与支持

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