WT5105集成非隔离式电源控制器,高雪崩能力功率MOSFET,内部集成650 VMOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出:输出电压可通过FB电阻调整,实现 3.3V以上多电压输出功能或固定12V功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,FB开路保护,输出短路保护,磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
特点:
内置650V高雪崩能力功率MOSFET
内置高压启动和自供电电路
多模式输出(输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)
输出功率可编程
改善EMI的频率抖动技术
优异的负载调整率和工作效率
完善的保护功能:
过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,CS悬空保护,输出过压保护,
磁饱和保护等
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