低压直流浪涌的常规设计防护方案？深圳比创达电子科技（中）

低压直流浪涌的常规设计防护方案？相信不少人是有疑问的，今天深圳市比创达电子科技有限公司就跟大家解答一下！

针对市面上各种快充型手机，其适配器输出的常规电压为5V DC，但若采用高压大电流或者高压低电流的快充模式，最高输入电压有可能达到20V DC以上。

另外，USB充电头在插拔瞬间也易产生一些强干扰脉冲注入到端口中；因此，有必要对手机的相应端口进行耐压能力的评估测试。

在比创达的日常工作中，低压浪涌类测试整改项目也是最常见的项目之一；因端口防护设计不良造成的失效也是多种多样，包括IC芯片烧毁、产品关机/复位、端口器件烧毁等。

经过经验丰富的现场整改工程师定位整改后，绝大部分产品均能通过最优方案解决浪涌失效问题，那么低压直流浪涌的常规设计防护方案？接下来就跟着深圳比创达电子科技小编一起来看下吧！

针对各种端口的低压浪涌防护设计，与常规的浪涌防护原理一致，也是以泄放、钳位为主要手段，只是干扰等级相对较低，且大部分端口的空间有限，选用的器件一般是小尺寸贴片封装的TVS或TSS为主；以USB口为例，其常规的低压浪涌防护方案如图1所示：

图1 USB口的低压浪涌防护方案

L1：滤波器件BTREF1608A1R601（该器件为1A电流的器件，后续可根据实际要求与测试结果调整适当参数）。

L2：共模器件BCMF122P900H（可根据实际要求与测试结果调整适当参数）。

L3：共模器件BWMF32252P102P1A2（该器件为1.2A电流的器件，后续可根据实际要求与测试结果调整适当参数）。

D1/D2/D3：防静电器件BTR06D3（可按实际要求更改封装，下同）。

C1：104滤波电容。

R1/R2：2.2欧电阻（0603封装）。

T1/T2：防浪涌器件BTR3S23A1（可根据实际测试结果调整TVS型号，下同）。

T3/T4：防浪涌器件BTR9S23A05A。

备注：此方案基于防静电设计增加浪涌防护；此方案为基于被保护端防护能力较弱的保守方案，实际应用时可根据后级IC或其他模块的耐压能力强弱适当增减防护模块。

二、总结

1、低压浪涌防护也是以泄放、钳位为主要手段，器件主要用TVS和TSS；

2、器件选型时需注意确保残压对后级被保护电路的影响同时，要注意端口自身的耐压；即保证被保护的模块得到保护的同时，也要保证防护器件本身不易损坏。

综上所述，相信通过本文的描述，各位对低压直流浪涌的常规设计防护方案都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次继续延续这篇，然后给各位讲解低压直流浪涌的整改案例，咱们下回见啦！

以上就是深圳市比创达电子科技有限公司小编给您们介绍的低压直流浪涌的常规设计防护方案的内容，希望大家看后有所帮助！

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