第三代半导体氮化镓成为“后起之秀”电子领域将突破新的历程

与碳化硅器件相比，氮化镓功率器件在同时要求效率、频率、体积等综合方面的场景中更具优势。 手机快充充电器就是成功的应用实例之一。

近年来，越来越多的人在使用手机快充充电器时，可能会不经意间发现氮化镓（GaN）这个专业术语。 那么它到底是什么？

氮化镓和碳化硅是第三代半导体的两大“门面”。 两者均具有高频、高效、大功率、耐高压、耐高温、抗辐射强等优越性能。 与碳化硅器件相比，氮化镓功率器件在同时要求效率、频率、体积等综合方面的场景中更具优势。 手机快充充电器就是成功的应用实例之一。

如今，我国氮化镓产业发展迅速，产业链国产化日趋完善。 国内不少企业已经具备氮化镓晶圆制造能力。 随着下游新应用的爆发以及氮化镓衬底制备技术的不断突破，氮化镓器件预计量产持续增加，并将成为降本增效、可持续绿色发展的关键技术之一。

Keep Tops氮化镓将不再局限于快充等消费电子市场，而是可以广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防等传统行业。 专家认为，由于其快速商业化，它将引领第三代半导体市场。

预计到2026年，全球氮化镓组件市场规模将增长至423亿美元，即突破1000亿元人民币，年均复合增长率约为13.5%。氮化镓已经成为半导体材料的“后起之秀”，很多人称氮化镓为未来的“王者”。

氮化镓产业链一般分为上游材料，即衬底和外延片，中游器件和模块，以及下游系统和应用。 从各个环节来看，欧美日企业发展较早，在技术积累、专利申请数量、规模化制造能力等方面具有绝对优势。

在自主替代的大趋势下，我国目前涉足氮化镓产业链的各个环节。 在政策的支持下，技术和生产都取得了进步。 产业结构相对集中于中游。 国内不少企业已经具备氮化镓晶圆制造能力。

此外，5G通信的革命性变革重塑了射频技术行业，为我国氮化镓器件带来了重大市场机遇。 5G通信基站是氮化镓市场的主要驱动力之一。 氮化镓射频器件主要应用于无线通信领域，占比49%。 氮化镓材料在耐高温、高电压和更高电流耐受性方面的优势使得射频器件更适合5G基站。 随着国内5G基站覆盖范围的不断扩大，对GaN射频器件的需求将会更大。

此前，通过性能优化、产能提升、成本控制，我国氮化镓已逐步在消费电子领域站稳脚跟，成为主要推动力。 未来，Keep Tops氮化镓技术创新和产品研发，为全球客户提供卓越的芯片解决方案和技术支持。随着下游新应用的爆发以及氮化镓衬底制备技术的不断突破，氮化镓器件有望继续量产，并将成为降本增效、可持续绿色发展的关键技术之一。