1857
作为全球领先的集成电路制造和技术服务提供商,长电科技具备面向5G基站射频器件的一站式封测解决方案,并积累了丰富的量产经验。
近年来5G商用的不断提速,5G基站建设规模不断扩大。数据显示截至今年五月,中国5G基站总数已达到284.4万个。5G基站中的射频器件作为无线通信的核心器件,需要不断提升性能,支撑5G的规模化发展和多场景融合。
从封测角度看,5G基站的射频器件从大功率器件到小信号器件、从Sub6G频段到24G毫米波频段;从发射端的增益放大器(GPA),驱动(Driver),末级(Final stage)和为之组成发射链路的电桥、变压器、衰减器、滤波器、检波器、射频开关、功分器等,到接收机的多通道射频前端模组(FEM),基本涵盖了分立元件到系统级封装(SIP)的所有封装工艺。
长电科技凭借数十年的技术积累,已拥有完备的5G基站射频器件封装技术,从大功率器件专用的塑料封装(OM), 陶瓷封装(NI), 塑料空腔封装(ACP),到通用的SOT, TO, QFN, DFN, LGA,以及Flipchip封装、Chiplet先进封装、FO-WLBGA封装等,可满足日益增加的高性能、高集成度的5G基础设施射频器件的需求,加速5G基站的建设部署和多场景融合,同时通过成熟的5G基站射频器件的封装工艺,尤其是高集成度的射频器件工艺,可以应用到其它的射频芯片领域。
同时,长电科技可提供射频器件的定制化硅基集成被动器件(IPD)以及管芯级设计套件(PDK);提供射频器件的热、力、电仿真服务,各个频段的芯片级测试和完整的可靠性验证。此外,长电科技依托与全球客户深入合作磨练出的工艺核心能力,在射频器件封测领域积累了丰富的量产经验和高水平技术人才团队。
针对5G网络在各应用领域的积极部署,长电科技将持续投入全球领先的射频封测技术与服务,进一步强化差异化的竞争优势。
