加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

新思科技与三星扩大IP合作,加速新兴领域先进SoC设计

2023/06/30
1683
阅读需 4 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

面向三星8LPU、SF5 (A)、SF4 (A)和SF3工艺的新思科技接口和基础IP,加速先进SoC设计的成功之路

新思科技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)近日宣布,与三星晶圆厂(以下简称为“三星”)签订合作升级协议,共同开发广泛IP组合以降低汽车、移动、高性能计算(HPC)和多裸晶芯片的设计风险并加速其流片成功。该协议拓展了双方的合作范围,面向三星8LPU、SF5、SF4和SF3等先进工艺,新思科技将提供包括基础IP、USB、PCI Express、112G以太网、UCIe、LPDDR、DDR、MIPI等广泛IP组合。此外,新思科技还将针对三星SF5A和SF4A汽车工艺节点优化IP,以满足严格的一级或二级温度要求和AEC-Q100可靠性要求,助力汽车芯片开发者减少设计工作并加快AEC-Q1100认证。针对ADAS SoC的车规级IP将包含设计故障模式与影响分析(DFMEA),能够为汽车SoC应用的开发工作节省数月的时间。

新思科技IP战略和产品管理高级副总裁John Koeter表示:“我们携手三星在EDA和IP领域持续加强协同优化,协助汽车、移动、HPC和多裸晶等领域的芯片系统架构师应对先进工艺节点下的各类芯片设计挑战。此次合作是我们数十年友好关系的进一步升级,共同为开发者提供一条低风险的路径来实现其设计要求并加速将具有差异化优势的产品推向市场。”

三星电子晶圆代工事业部IP开发团队执行副总裁Jongshin Shin表示:“新思科技是我们主要的IP合作伙伴,针对三星的每一代先进工艺提供了高质量IP,这种长期合作关系让我们的共同客户能够受益其中。此次双方合作升级,新思科技IP将覆盖三星的全系列先进节点,让开发者能够采用业界领先的广泛IP组合,以更低的风险和更快的速度满足目标应用的功率、性能和面积(PPA)要求。”

上市情况

新思科技面向三星工艺提供或正在开发的IP包括逻辑库、嵌入式存储器、TCAM、通用输入/输出(GPIO)、eUSB2、USB 2.0/3.0/3.1/4.0、USB-C/DisplayPort、PCI Express 3.0/4.0/5.0/6.0、112G以太网、多协议16G/32G PHY、UCIe、HDMI 2.1、LPDDR5X/5/4X/4、DDR5/4/3、SD3.0/eMMC 5.1、MIPI C/D PHY和MIPI M-PHY G4/G5。

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
CL31A106KBHNNNE 1 Samsung Electro-Mechanics Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 10uF, 50V, ±10%, X5R, 1206 (3216 mm), 0.063"T, -55º ~ +85ºC, 7" Reel
$0.32 查看
1843266 1 Phoenix Contact Barrier Strip Terminal Block, 8A, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下载ECAD模型
$3.6 查看
87756-7 1 TE Connectivity MOD IV RECP LP

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.34 查看

相关推荐

电子产业图谱