来源:硬件大熊,作者:雕塑者
《一款射频芯片的layout设计指导案例-篇章1》中,我们阐述了RTL8762元件布局顺序、DC/DC电路元件布局走线、电源Bypass布局规范、外部flash布局走线、RF布局走线,
40MHz晶振布局走线规范
在没有结构限制情况下, Crystal 和 BT CHIP 要放在同一层面。
为了避免干扰 RF 信号, Crystal 尽量远离 RF Trace。
Crystal 的放置应尽可能靠近 BT CHIP,路径要短, Trace 宽度建议超过 6mil。
如果是 2 层板,禁止在 Crystal 的背层走线,让背层(BOT)的铺铜保留完整性。
ESD Layout
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- 分割地平面时要注意缩短信号线的回流路径, 采用星状线的方式实现并联接地。
删除孤岛铜皮,用地将敏感信号包裹起来,防止其他信号的辐射干扰
- 尽量缩短线长以减少寄生电感。因直角走线会产生更大的电磁辐射,避免直角走线连接到器件或走线上。高速电路设计时,更需注意这点。尽量增大过孔的钻孔直径和焊盘直径,减少过孔的寄生电感。布线时,让敏感信号线远离 PCB 板边。为避免走线与天线间的串扰,走线需远离天线,天线需放在离接头较远的位置。布局时,将所有的接头和板边接线放在 PCB 板边一侧, ESD 敏感器件放到 PCB 中心。
两层板注意事项
BT CHIP、 RF、 Crystal、 Buck 区域,尽量避免于这些区域走线。
两层板走线尽可能走在同一层面。
若走线要贯穿到背层,背面的走线尽可能短或者集中在一起,维持背面敷铜的完整。
电源VDD12 走线可将 EPAD 尺寸改小到 3.6mm, trace 从 IC package 缝隙中穿过。
其他注意事项
- 上下层走线时尽可能不要平行重叠的走线
- External flash 必须尽量的靠近 IC 摆放
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