直击2023亚洲充电展：英诺赛科、纳微等17家三代半龙头聚集！

作为国内出货量第一的氮化镓IDM企业，英诺赛科在现场展出了全系列氮化镓产品与方案，应用范围涵盖高效快充、数据中心、激光雷达、电机驱动、户外储能电源、数据中心及及汽车电子等。

值得一提的是，英诺赛科针对数据中心供电解决方案做了全面的布局，可以为行业提供从前端PSU电源到主板DC/DC模块以及芯片的直接供电，提高供电链路的功率密度和效率，实现供电转换损耗整体减小50%。

此外，英诺赛科日前推出的采用TO252 / TO220封装新品也“闪现”展会现场。采用TO产品的氮化镓120W大功率快充及适配器方案也一并展示，吸引诸多关注。

据了解，英诺赛科于2021年成为全球首家实现8英寸硅基GaN量产的企业，2022年销量成功突破1亿。

纳微带来了最新的GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片解决方案、荣获CES创新大奖的GaNSense™ 技术以及GaNFast™功率芯片解决方案。

搭载了GaNSense™技术的GaNFast™氮化镓功率芯片，集成了氮化镓功率器件、驱动、控制、额外的自动保护以及无损电流检测，带来最简单、最轻便、最快速以及更强劲的充电性能。借助最新的超快充技术，一个小巧、简便的150W氮化镓充电器，就能让智能手机在20分钟内完成从1-100%的充电。

目前，凭借着互补的GaNFast™和GeneSiC™技术，纳微半导体已成为下一代电源领域的领先企业。

展会上，Power Integraions带来了采用PowiGaN氮化镓技术的最新技术产品，包含InnoSwitch4-Pro电源开关IC。产品应用范围包括IoT智能家居、电动工具&电单车、USB PD充电器/适配器、家用电器等。

其中，会上展出的140W适用于USB PD3.1扩展功率范围的充电器中采用了PowiGaN技术的InnoSwitch4-Pro。最高支持28V5A的输出，其750V耐压的氮化镓开关大大提升了产品的可靠性及耐受雷电冲击的能力。得益于氮化镓开关的高效率，这款充电器的满载效率可达95%。

本次展会，芯塔电子集中展示了碳化硅全系产品和技术，包括具备业内领先水平的6英寸碳化硅SBD/MOSFET晶圆和可用于新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、PD快充电源、电源PFC上的650-1200V的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模块等。

芯塔电子针对PD快充领域推出了DFN8*8和DFN5*6两种封装形式碳化硅二极管产品，助力高功率密度快充产品的开发。

此外，芯塔电子本次推出的DFN封装系列产品目前已通过多家客户的测试验证，并对部分客户形成批量供货。芯塔电子产品的设计及验证均按照车规级标准执行，技术参数可对标国际一线公司的最新产品，满足高端领域的国产化替代需求。

据了解，芯塔电子是国内领先的第三代半导体功率器件企业。目前公司已完成一系列的产品研发和批量生产，逐渐形成较完整的功率器件产品体系，产品在高端电源领域通过验证，进入了行业标杆客户，同时在军工、新能源汽车、充电桩等领域进行了送样和销售。

润新微电子是华润微旗下的第三代半导体氮化镓外延、晶圆及器件制造商，提供650V、900V全规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖20W~18KW。

此次展会，公司展出了6英寸650V氮化镓晶圆和外延片，及采用DFN5*6、DFN8*8、TO-252、TO-263、TO-220、TO-247封装形式的氮化镓功率器件。内阻覆盖720mΩ~35mΩ。

据了解，润新微电子氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。产品主要应用于三电：电源、电机、电池，覆盖电源管理、太阳能逆变器、新能源汽车及高端电机驱动等科技产业。

镓未来专注于第三代半导体氮化镓技术，提供从30W到6000W的氮化镓器件及系统设计解决方案。目前已完成多轮融资，投资方包括珠海科创投、大横琴集团、境成资本、礼达基金，融资金额过亿。

会上，公司展出了6英寸氮化镓晶圆、氮化镓快充、DC-DC变换器、服务器导冷电源、LED电源等产品和方案。

GaN Systems是全球GaN主力军之一，尤其是在车用GaN领域，该公司属于先行者。

展会上，公司展出了受三星、戴尔、雷蛇 等全球消费电子领导品牌所采用之氮化镓快速充电器与适配器。

值得注意的是，3月初，英飞凌和GaN Systems共同宣布，英飞凌拟以现金8.3亿美金（约合人民币57.27亿元）收购GaN Systems，双方已就此达成最终协议。

泰科天润展出了碳化硅功率器件、6英寸碳化硅晶圆及PD电源、工业电源等应用案例/方案。

其中，4000W逆变器方案的LLC频率为90KHz-300KHz，效率为99%，具有效率高，1U标准机箱等优点.。方案采用了泰科天润生产的G3S06510B 碳化硅器件。

泰科天润湖南碳化硅6英寸线第一期年产能6万片碳化硅6英寸片，预计今年年底完成扩产，实现年产10万片碳化硅6英寸片。同期泰科天润位于北京的新研发总部和8英寸线也在布局，预计2025年完工，可实现10万片碳化硅8英寸片/年产能，更好的服务客户，保障交付！

公司产品已经批量应用于PC电源、光伏逆变器、充电模块、OBC、 DC-DC等领域。产品规格涵盖650V-3300V（1A-100A）等多款规格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220内绝缘、TO247-2L、TO247-3L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高温封装形式，并可按客户需求提供其他封装形式。

会上，基本半导体展出了6英寸碳化硅JBS晶圆、碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件和汽车及HPD碳化硅MOSFET模块等产品。

基本半导体是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。

公司研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链，推出通过AEC-Q101可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET以及汽车级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平，产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。

公司展出了业界首创的CCM模式图腾柱模拟PFC控制芯片、SiC MOSFET专用比邻驱动芯片，以及车规级碳化硅（SiC）MOSFET、SBD等产品。

其中，2.5kW图腾柱PFC芯片（IVCC1102）获得了第八届中国电源学会科学技术奖之优秀产品创新奖，得益于IVCC1102具备更快速、更精确、高可靠的模拟控制，故无需编程，使用简单，可助力电源方案快速定型并推向市场应用。

瞻芯电子聚焦于碳化硅半导体领域，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品，并为客户提供一站式芯片解决方案。

近期，公司陆续发布了2款TOLL贴片封装的650V SiC MOSFET，能能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求。

此外，还量产了2款Si/GaN/IGBT通用栅级驱动芯片IVCR1407A与1801A，能安全可靠地驱动器件以高达数百kHz开关.

近年来，瞻芯电子屡受资本青睐。日前，公司完成数亿元B轮融资，由国方创新领投，国中资本、临港新片区基金、金石投资、钟鼎资本、长石资本等众多机构跟投。

能华半导体聚焦以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件。目前，公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。

展会上，能华半导体展出了36W、60W和65W适配器方案。据了解，基于能华氮化镓功率器件的65W适配器方案，热可靠性大为提高。

江西誉鸿锦主要从事高品质氮化镓（GaN）电子电力材料和高端光电材料的MOCVD外延生长、芯片制造及相关器件封装，是目前国内仅有的第三代半导体全产业链创新型科技企业。

展会上公司展出了氮化镓MOS、氮化镓肖特基二极管、氮化镓快充和氮化镓适配器电源等一系列产品和方案。公司功率器件产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心，射频器件用于5G通讯设备及个人5G终端等领域

威兆半导体是专业从事分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业，同时也是国内少数于12英寸晶圆成功开发功率分立器件的公司之一。

公司的产品主要为开关电源充电器用的大功率MOSFET 场效应管、超低压降肖特基、快恢复二极管及器件模块化应用设计，致力于提高产品能效比。此外，公司还有一款 GaN芯片。

此次展会上，公司主要展出了PD快速充电器、无限充电器方案，以及主要应用于手机电池、TWS电池、只能手表电池的CSP系列demo board。

聚能创芯聚焦于第三代半导体硅基氮化镓（GaN），致力于打造GaN器件开发与应用生态系统，为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。旗下聚能晶源聚焦于第三代半导体氮化镓（GaN）外延材料。

展会上，公司展出了6英寸硅基氮化镓外延片、8英寸AIGaN/GaN外延片，以及GaN PD快充、GaN高频快充、GaN LED照明、GaN TV Power等方案。

GaN PD快充方案中，最大输出功率240W，采用PFC+LLC架构，满载输出效率95%，可拓展多路USB Type C输出。

公司在会上展出了多种规格的外延片产品。其中，4英寸蓝宝石基全色LED外延片（红&蓝），主要应用于AR/VR领域；6英寸硅基氮化镓功率电子外延片，主要应用于下一代电力电子、功率器件。

据悉，汉骅半导体致力于先进半导体产品的研发与生产，主要产品应用于5G通讯、功率电子、Micro-LED全色显示、UV紫外消毒固化、微控流芯片、以及其他诸多关键应用场景。

目前在苏州工业园区核心区域已建成：约20000㎡厂区、5000㎡洁净室，数十台MOCVD，6/8英寸光电芯片-MEMS量产产线，是具备国际领先水准的高端半导体闭环研发与生产基地。

展会上，芯干线展出了碳化硅功率器件、650V氮化镓功率器件和500W氮化充电模块等产品和方案。

其中，500W氮化充电模块解决方案采用芯干线X-GaN和X-SiC，目前已通过EMI传导辐射测试，支持量产。

据悉，芯干线聚焦第三代半导体功率器件及模块设计研发。公司产品线包括增强型氮化镓功率器件（X-GaN），碳化硅功率器件（X-SiC）以及第三代半导体电源模块。为下游客户提供先进的第三代半导体应用方案和全面的技术支持，涵盖消费级、工业级等各领域。

氮矽科技成立于2019年4月，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供。

2020年3月，氮矽科技发布国内首款氮化镓超高速驱动器DX1001，同年4月推出国内多款量产级别的650V氮化镓功率芯片DX6515/6510/6508，进军PD快充行业。目前可提供65W 2C1A、65W单C、120W 2C1A等多种应用解决方案。（文：化合物半导体市场 Amber）