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全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发的第3代SiC肖特基二极管（以下简称“SBD”）成功应用于Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是电子元器件、电池、电源领域的日本著名制造商——村田制作所集团旗下的一家企业。ROHM的高速开关SiC SBD产品“SCS308AH”此次成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块“D1U系列”，并且为该系列产品的性能提升和尺寸的小型化做出了贡献。
近年来，随着以AI（人工智能）和AR（增强现实）等技术为代表的IoT领域的发展，全球数据通信量正在不断增长。特别是对于负责进行通信管理的数据中心而言，其服务器的小型化和效率提升已经成为困扰各制造商的技术难题。在这种背景下，SiC功率器件因其有助于实现电源部分的小型化和高效化而备受期待。
Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示：“通过使用SiC功率器件，可以开发出效率更高、功率密度更高的电源产品。同时，SiC功率器件还可以提高开关频率，因而可以减少无源元件和散热件的体积。村田制作所集团内部设有专门负责对SiC器件制造商及其产品进行评估的部门，我们此次之所以选择ROHM，除了ROHM产品的可靠性高以外，还在于ROHM的服务支持非常迅速，从试制阶段开始就能提供样品。此外，我们正在开发的三相逆变器中也使用了ROHM的SiC MOSFET，相关产品可以满足我们的性能要求。”
Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示：“能够为电源系统等工业设备领域的领军企业——Murata Power Solutions提供支持，我由衷地感到高兴。ROHM是SiC功率元器件的领军企业，在业内率先提供先进的元器件技术和驱动IC等产品相结合的电源解决方案，并取得了骄人的业绩。今后，ROHM将继续与Murata Power Solutions携手，通过面向工业以及数据基础设施领域尽可能地深挖SiC技术潜力，从而进一步提升电源系统的能效。”
