主要SiC厂商前道工艺产线分布（附图）

作为推动能源变革的关键技术，Infineon、ON Semi等功率半导体巨头们已将SiC视为未来十年业务增长的强劲动能。然而，原材料与关键设备的紧缺持续干扰着全球SiC供应链的稳定，“扩产”将成为未来几年活跃于产业的关键词。

过去几年中，IDM厂商在12英寸晶圆厂上投资了数十亿美元，用于制造IGBT等硅基功率元件，这使得完全折旧的6/8英寸晶圆厂现在可用于支持SiC大规模生产。当然，IDM厂商需要额外添置一些SiC专用生产设备，这包括超高温CVD反应器、高温高能离子注入机、高温氧化炉、晶圆级测试设备等。

硅晶圆在90年代经历了从6英寸到8英寸的转变，随后在大约十年后转向12英寸晶圆。SiC正在经历着同样的事情，当前绝大多数SiC功率元件仍然依靠在6英寸晶圆上进行生产，而为了进一步降低成本并扩大SiC渗透率，Wolfspeed等一线厂商已目光投向8英寸。这十分困难，但不得不做，我们可以看到Wolfspeed Mohawk Valley Fab的实际量产时间已经被一再推迟，这同样关系到其近几个季度糟糕的财务状况。

另外，中国的SiC前道工艺产线数量正在迅速增长，TrendForce统计已量产和规划产线约近20条，而须留意的关键产线约7条。其中，三安光电、泰科天润已具备非常成熟的二极管制造能力，而在MOSFET制程开发过程中却仍面临着诸多阻碍，特别是汽车级产品。

TrendForce集邦咨询将于近期推出SiC专题市场报告，剖析全产业链发展现状、关键应用进展及厂商近况，敬请期待。