艾迈斯欧司朗发布业界领先的50万像素全局快门CMOS图像传感器

全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）宣布，发布最新全局快门CMOS图像传感器Mira050（2.3mm×2.8mm，50万像素），进一步扩展了紧凑型、高灵敏度的Mira系列全局快门CMOS图像传感器产品组合。

Mira050对可见光和近红外（NIR）光具有高灵敏度，使工程设计师能够在可穿戴和移动设备中节省空间和电量。Mira050适合的应用包括：AR/VR/MR头显中的眼动追踪、手势追踪和情境感知，机器人中的物体检测，以及智能门锁中用于脸部识别的3D深度传感等应用。

Mira050将高性能技术集成在具有众多超低功耗特征的微型封装中。即使在全分辨率和120fps的帧率下，功耗仅为47mW，待机功耗低至60µW。从技术角度来看，Mira050对可见光和近红外光非常灵敏，这也与高量子效率相匹配。根据艾迈斯欧司朗的内部测试，在近红外光谱中，940nm时量子效率为36%，850nm时为56%；在可见光范围内，550nm时高达93%。Mira050传感器可以在低功耗照明器以及微弱的自然光线条件下工作，因此更加省电。片上电源管理还可根据帧率和曝光时间的设置，调整提供给各功能模块的电源，有助于进一步延长电池续航时间。

艾迈斯欧司朗Mira050的设计，是为了通过片上事件检测和背景光消除等功能，简化高性能成像系统的开发。

艾迈斯欧司朗执行副总裁兼图像传感器解决方案事业部门总经理Jens Milnikel表示：“在可穿戴和移动设备中，图像传感器最重要的参数是有效感光面积利用率/效率与功耗。在这方面，Mira050是市场上的佼佼者，以更小的尺寸提供更高的分辨率、更高的灵敏度和更低的功耗。”

先进的像素技术和独特的架构

在Mira图像传感器系列中，艾迈斯欧司朗使用背照（BSI）技术实现堆叠芯片设计，传感器层位于数字/读取层之上，因而能够以非常高效的芯片级封装方式生产Mira050。

BSI技术还使传感器具有非常高的灵敏度和量子效率，像素尺寸为2.79μm。芯片级封装的有效分辨率为576px×768px，最大位深为12位，裸片版本为600px×800px。传感器的光学格式为1/7”。
可编程寄存器使用户能够控制窗口坐标、时序参数和曝光时间，以及镜像、翻转和裁剪功能。MIPI CSI-2接口可以方便地与处理器或FPGA连接。还可通过摄像头控制接口（CCI）访问片上寄存器，轻松对传感器进行配置。

Mira050近红外图像传感器预计将于2023年第一季度末出样。