“新能源之王”杀入最火赛道！宏光半导体迎GaN快速成长窗口

当前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体市场发展迅猛，凭借其击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，抢滩节能减碳、汽车电子化等热潮商机，市况逆势大好。资本涌入，许多企业欲捕捉机遇，藉此抢占此市场先机。

近日，新能源巨头协鑫集团正式入局第三代半导体，迎来最新进展：

11月28日，第三代半导体企业宏光半导体有限公司（6908.HK）宣布，将于12月13日就早前与协鑫科技创办人朱共山订立之投资协议举行股东特别大会，以考虑并酌情通过根据特别授权发行新股份以及根据特别授权发行非上市认股权证。

图源：宏光半导体

根据早前之投资协议，宏光半导体同意配发及发行，而朱先生透过其间接全资拥有的常盛有限公司同意认购6,000万股认购股份及6,000万份认股权证。若股东特别大会决议案获通过，朱共山将正式成为宏光半导体之主要战略股东。

宏光半导体主要在中国从事半导体产品，包括发光二极管（「LED」）灯珠、新一代半导体GaN芯片、GaN器件及其相关应用产品以及快速充电产品的设计、开发、制造、分包服务及销售。

而作为协鑫集团的创办人兼董事长，朱共山冠有“一代硅王”、“民营电王”、“新能源之王”等美誉，在中国乃至全球新能源行业的“话语权”和影响力早已众所周知。

待朱共山成为宏光半导体主要战略股东后，双方将结对迸发出怎样的新火花，值得拭目以待。

强化资源协同，赋能GaN高质量发展

据了解，早于今年9月宏光半导体已与协鑫集团正式签订了战略合作框架协议，拟于GaN功率芯片在新能源领域的应用开展密切合作，其后于11月与朱共山正式签定股份及认股权证认购的投资协议。

根据宏光半导体股东特别大会通告显示，协鑫集团将凭借其在新能源产业中的领导地位，协助宏光半导体进入新能源产业供应链市场，有助其发展上下游业务，合作发展成为良好业务伙伴。随着股东特别大会即将召开，朱共山入股及与协鑫集团的战略合作将切实落地，宏光半导体的GaN布局之路再次迈进一大步。

GaN黑马芯片业务反哺

平安证券研究报告指出，GaN功率器件具有转换效率高、体积小的优势，应用于逆变器可展现出电力损耗显著降低、冷却设备和周边配件可小型化等特性，有效提高能量转换效率。

图源：平安证券

鉴于GaN芯片是协鑫集团在能源工程业务、太阳能逆变器及储能技术中使用的基础组件，宏光半导体将向协鑫集团供应其新开发且具备先进技术的GaN芯片，不仅实现业务反哺，还可发展协鑫集团成为宏光半导体的潜在客户，实现可持续发展的共创共赢。

民营电王多元加速赋能

资料显示，朱共山进入光伏行业仅10余年，便拥有5家上市/挂牌企业。其中，协鑫集团已经成长成为全球最大的多晶硅和硅片生产商，在新能源等领域具有强大的影响力，可协调新能源产业资源，与宏光半导体的第三代半导体形成战略协同效应，从而形成产业资源互补。

不仅如此，朱共山还和徐州有着不解之缘，协鑫集团的每一次重大战略布局都起步于江苏，植根在徐州。从沛县、到丰县、再到徐州经济技术开发区，勾勒出一个能源巨头在徐州的宏伟版图。凭借其在地性优势，可以协助宏光半导体与地方政府密切合作，完善对第三代半导体产业的政策及支持措施。

作为全球绿色能源理事会主席，朱共山对节能减排、实现“双碳”目标一直有着殷切期望。他认为，目前，国内新能源发电量占全社会用电量的三分之一左右。预计到2025年，我国新能源年发电量增量，将超过全社会用电量增量的半壁江山。到2030年，我国风电、光伏等新能源发电装机规模将超过煤电，成为主要电力供应主体。

因此，协鑫集团积极开启换电版图，从乘用车和重卡换电业务切入，围绕动力电池与储能应用，聚焦换电站一体化解决方案、换电站运营及能源服务以及电池梯次利用三个核心业务领域，力图实现脱碳减排、节能增效的诉求。

不谋而合，宏光半导体近年深耕快速充电桩与快速充电电池产品的系统解决方案，布局GaN快速充电桩的技术推广及产品销售。而新能源与第三代半导体的发展正是相互依存的关系，此次合作，宏光半导体有望与协鑫集团的新能源产业实现资源互补，进一步扩大及扩阔集团的业务版图及其增长曲线。宏光半导体相信协鑫集团在新能源产业的龙头地位及其全面布局，将协助宏光半导体进入新能源产业供应链市场，有助其稳固发展上下游业务。

如此看来，世界光伏领军企业协鑫集团创办人朱共山的加持，不仅能够提升宏光半导体的行业知名度与影响力，还能以自身新能源行业的领导地位，为其在徐州布设的半导体生产厂房提供资源平台与技术协同，打通业务销售渠道，加速产能及产品的发展，实现建链补链强链。

发展势头强劲，瞄准GaN集中发力

为积极拓展GaN业务，2021年，宏光半导体厂房落地徐州，当中包括7,000平方米的超净室及850平方米的办公区域。

GaN芯片、器件预备投产

目前，宏光半导体正采购机器及相关生产设备，预计将于2024年初在徐州工厂全面投产GaN芯片。其芯片生产科研管理团队包括GaN半导体业务核心专家陈振博士、GaN HEMT器件设计和工艺制造核心专家Thomas Hu博士、以及半导体行业及晶圆代工技术及管理方面均具有丰富经验的吕瑞霖先生和闵军辉先生等GaN半导体领域的佼佼者，为宏光半导体以GaN领域为核心的第三代半导体布局上紧“保险栓”。

同时，宏光半导体将GaN芯片用于针对不同应用设计的电路中，以推广GaN芯片的使用，提高客户忠诚度并将推出相关的GaN器件以提升销量。

据分析机构Yole Développement数据显示，2021年全球GaN功率器件市场规模为1.26亿美元，受消费类电子、电信及数据通信、电动汽车应用的驱动，预计到2027年增长至20亿美元，复合年均增长率为59%。

GaN功率器件市场规模，图源：Yole Développement

宏光半导体预计，集团芯片业务预计将从2023年开始提供收入贡献，2023年/2024年的收入将分别按年增长150%/330%至分别2.68 亿元/11.53亿元。

GaN功率外延片正式投产

11月1日，宏光半导体发布公告称，已经开始生产其自家6英寸GaN功率器件外延片，预计2023年第二季将开始芯片试产，并于2024年初前开始投产，远早于预期时间表。

外延片是半导体工艺当中的一种，其决定了器件约70%的性能，是半导体芯片的重要原材料。一般情况下，外延片的调试生产工作需历经约莫20个月，而宏光半导体仅耗时短短三个月，就成功生产出可达国际大厂高良率标准的6英寸GaN功率器件外延片，并开始形成产能和陆续展开销售。

此般“火箭速度”的背后，意味着宏光半导体已攻克芯片生产过程中最有难度的一关，是宏光半导体转型第三代半导体布局的成果验收，亦是其扎实技术的有力见证，标志其迈向第三代半导体GaN商业化的里程碑。

据前瞻产业研究院预测，全球GaN外延片市场销售额于2021年达到了4.2亿美元，预计至2028年将达到15亿美元，年复合增长率为21.2% (2022-2028)。

驶向蓝海，进度瞩目，相信宏光半导体将加快研发进度并尽快推出芯片成品，为国内第三代半导体市场交上满意答卷。

GaN前景广阔，大有可为

第三代半导体材料本身具备高频、高效、节能等特性，因而在新能源车、光伏、风电、5G通信等领域，都有着很大的应用潜力。

11月，GaN Systems对2023年GaN功率半导体行业发展做出预测，涵盖了GaN功率半导体的供应链、可持续性、数据中心、电动汽车、以及消费类电子产品等方面：

数据中心

GaN Systems指出，随着数据中心每三到五年更新一次硬件，科技巨头的新标准将加速电源向更高效率和更小外形尺寸的转变，而GaN在这方面表现出色。此外，许多以超大规模计算为目标的OCP设计对非常高的能源效率的需求越来越大，而GaN最能提供这一特性。

适逢其时，宏光半导体徐州工厂已于今年3月与GaN Systems于互联网数据中心电力基础设施进行首次公开GaN之行业实地试验，分析表明，新电源在50%负载下的能源效率高达98%，比传统硅基电源高4%，可将总能耗降低10%，用实际数据验证了GaN在数据中心应用的前景辽阔。

新能源汽车

GaN Systems认为，2022-2023年汽车平台设计阶段的高性能GaN解决方案将在2025-2026年成为主流，提供成本更低、能效更高的电源解决方案。越来越多的原始设备制造商开始使用GaN进行生产，这将在2023年实现加速。随着全球公司继续面临推动盈利能力和可持续性发展的压力，GaN技术变得更加重要。

尽管过去三年全球经济和地缘政治面临重大逆风，但GaN现在被公认为是一种广泛采用的技术，预计到2027年将达到20亿美元，这主要得益于消费电子、汽车应用、数据中心以及工业和电气领域的使用不断增加。

宏光半导体亦早已洞悉GaN在新兴应用领域如新能源汽车行业的巨大潜力。据了解，宏光半导体不仅收购了主要从事快速电池充电系统解决方案研发的GSR GO Holding Cooperation，投资了专注高电压新能源汽车领域的以色列GaN相关产品开发商VisIC Technologies Ltd，以及专注民用产品领域的加拿大GaN技术领导者GaN Systems Inc，还与中国泰坦能源、GUH Holdings Berhad、硬蛋创新、鸿智电通等多家企业订立了战略及框架合作协议，以加快GaN的密集研发与技术应用，冀未来能够实现国有替代技术突围。