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  • 国家队出手“阔绰”,中国集成电路再迎高光时刻
    近日,国内集成电路产业再次迎来高光时刻,大基金三期重磅出手,一天之内(2024年12月31日)投资了两支基金,合计出资额超1600亿,可谓出手“阔绰”。
    国家队出手“阔绰”,中国集成电路再迎高光时刻
  • 为什么负我不负她,PCB上的光学点是如何出轨的
    PCBA工厂美女饶萧萧打过来的,说板子上的光标点有异常,贴片时无法精准对位,可能要开治具焊接。赵理工说我十分确定我工艺边加了光点,并且还是很多个,为什么还要开治具,是不是评估时出了错。
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    6小时前
    为什么负我不负她,PCB上的光学点是如何出轨的
  • 支持16位PWM调光、集成4路LED驱动,纳芯微氛围灯驱动NSUC1500点亮座舱新体验
    纳芯微宣布其SoC产品系列NovoGenius家族迎来新成员——高集成度氛围灯驱动SoC产品NSUC1500-Q1。该产品通过集成ARM® Cortex®-M3内核与4路高精度电流型LED驱动,支持16位独立PWM调光和6位模拟调光功能,能够实现更精准的调光混色控制,并有效补偿光衰现象。此外,NSUC1500-Q1系列也满足AEC-Q100 Grade 1和CISPR 25 Class 5 EMC标准,确保了产品的高可靠性和灵活性。
    支持16位PWM调光、集成4路LED驱动,纳芯微氛围灯驱动NSUC1500点亮座舱新体验
  • MOSFET的米勒平台电压很重要,1400字教你两种方式计算出米勒平台电压值
    MOSFET米勒效应是指在MOSFET的开关过程中,由于栅极-漏极之间的电容Cgd的存在,漏极电压的变化会通过该电容耦合到栅极,导致栅极电压出现不希望的变化。在MOSFET开关的过程中,特别是当漏极电压发生快速变化时,栅极电压需要经历一个过渡阶段,这一阶段通常表现为栅极电压变化的“平台”部分,称为米勒平台电压。
    MOSFET的米勒平台电压很重要,1400字教你两种方式计算出米勒平台电压值
  • 什么是混合信号集成电路?
    混合信号集成电路(Mixed-Signal IC)是一种同时处理模拟信号和数字信号的芯片类型。它将模拟电路和数字电路结合在一个芯片内,实现两种信号之间的无缝交互。这种电路在现代电子设备中扮演着核心角色,比如手机、传感器、音频设备和通信系统等。
    什么是混合信号集成电路?
  • 简化隔离驱动电源设计,纳芯微推出集成晶振的NSIP3266全桥变压器驱动
    NSIP3266专为高压系统中隔离驱动供电的半分布式架构而设计,采用全桥拓扑,支持宽压输入,集成晶振释放MCU资源 纳芯微宣布推出集成晶振与多种保护、支持软启动的全桥变压器驱动NSIP3266,可广泛应用于汽车车载充电机(OBC)、牵引逆变器及充电桩、光伏发电和储能、服务器电源等系统中的隔离驱动供电电路。NSIP3266支持宽范围输入的全桥拓扑,同时凭借巧妙的引脚和功能设计,极大简化了隔离驱动供电
    简化隔离驱动电源设计,纳芯微推出集成晶振的NSIP3266全桥变压器驱动
  • 《元器件动态周报》--2024年12月模拟器件
    2024年11月份整体模拟需求普遍下降,所有零件类型在四方维商品动态商情需求指数中均出现连续下降,反映出销售额普遍下降;部分零件在该指数中跌至至少四年来的最低点。
    《元器件动态周报》--2024年12月模拟器件
  • GD32F4 LVD(低电压监测)功能使用
    LVD的功能是检测VDD/VDDA供电电压是否低于低电压检测阈值,该阈值由电源控制寄存器(PMU_CTL)中的LVDT[2:0]位进行配置。LVD通过LVDEN置位使能,位于电源状态寄存器(PMU_CS)中的LVDF位表示低电压事件是否出现,该事件连接至EXTI的第16线,用户可以通过配置EXTI的第16线产生相应的中断。
    GD32F4 LVD(低电压监测)功能使用
  • 集成开/关控制器如何提升系统能效
    作者:Bryan Angelo Borres,产品应用工程师 Noel Tenorio,产品应用经理 摘要 本文将介绍如何使用开/关控制器和电池保鲜密封件集成解决方案,使产品设计在操作和生产过程中更加高效。具体而言,本文将详细介绍ADI公司的集成开/关控制器在节能特性、小尺寸和高ESD额定值方面的优势。 简介 在疫情影响下,高度依赖在线资源的混合办公模式加速普及,电子系统成为了必不可少的工具。此外
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    集成开/关控制器如何提升系统能效
  • 什么是电压、电流周期信号的平均值和有效值?
    平均值和有效值(又称为均方根值 Root Mean Square, RMS)通常用于描述周期信号的幅度,这里的周期信号可以是电压、电流、功率和其他物理量。
    什么是电压、电流周期信号的平均值和有效值?
  • 2024年度本土半导体产业链并购案例及趋势分析
    从国际头部厂商 TI、ADI的发展史来看,除内生成长外,外延并购也是芯片企业做大做强、实现跨越式发展的必经之途。相较于海外龙头,我国芯片企业整体起步较晚、规模较小,但受益于中国庞大的市场需求因此发展迅速。 国内半导体产业并购主要分为几种类型:1、国资承担更多半导体产业发展责任,如中国电子集团获得华大九天控制权,华润集团控股长电科技;2、制造、封装类企业并购产业链上下游,打通供应链;3、设计类企业扩
    2024年度本土半导体产业链并购案例及趋势分析
  • 工业串行总线中的“安全守护者”-隔离接口芯片
    当前,华普微的数字隔离芯片,即在微距离上实现无线射频收发系统的“射频芯片”,可完美解决工业总线中的隔离需求,有力保障RS-485、CAN、I2C与SPI等工业串行通信的稳定运行。
  • 单个IC也能构建紧凑、高效的双极性稳压器
    本文介绍了两种精简电路,它们均使用单个高电压LT8315转换器,可由30V至400V的宽输入电压范围产生±12V输出。一个电路是隔离型反激式拓扑,另一个则是非隔离型降压拓扑。LT8315本身是一款高电压单芯片转换器,内置集成630V/300mA MOSFET、控制电路和高电压启动电路,采用耐热增强型20引脚TSSOP封装。
    单个IC也能构建紧凑、高效的双极性稳压器
  • 能源革命持续发力,华普微隔离器助力储能行业“向绿向新”
    目前,华普微电容耦合隔离芯片在隔离电压、共模瞬态抑制与浪涌等级等关键性能指标上已达到国际一流水准,而在传播延迟、传输速率与使用功耗等功能特性上甚至达到国际领先水平。
  • 氮化镓全球第一,英诺赛科做对了什么?
    绝大多数半导体细分市场,都是由海外巨头主导,然而氮化镓功率半导体却例外。 根据弗若斯特沙利文的数据,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(下文简称“英诺赛科”)2023年的收入为5.93亿元,市场份额达33.7%,在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一。按折算氮化镓分立器件出货量计,2023年英诺赛科的市场份额为42.4%,同样在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一。 英诺赛科作为IDM厂商,设计、开发及
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    2024/12/25
    氮化镓全球第一,英诺赛科做对了什么?
  • 如何为不同的电机选择合适的驱动芯片?纳芯微带你深入了解!
    在现代生活中,电机广泛使用在家电产品、汽车电子、工业控制等众多应用领域,每一个电机的运转都离不开合适的驱动芯片。纳芯微提供丰富的电机驱动产品选择,本期技术分享将重点介绍常见电机种类与感性负载应用,帮助大家更深入了解如何选择合适的电机驱动芯片。
    如何为不同的电机选择合适的驱动芯片?纳芯微带你深入了解!
  • 2023年中国数据线充电协议芯片渗透率快速上升
    中国是全球数据线和充电协议芯片最大的供应地区,下游客户主要为华为、小米、vivo等手机厂商的原机配线产品,以及以绿联、安克创新为代表的第三方厂商的快充数据线产品。受安卓系统手机Type-C接口迭代、快充普及,叠加苹果全系产品改用Type-C接口、车用Type-C接口的迭代等驱动因素影响,中国数据线充电协议芯片渗透率快速上升,较前一年上升近10个百分点。根据赛迪顾问估算,2023年中国市场规模已超30亿元,出货量超40亿颗,快充协议芯片渗透率已达到70%以上,未来高功率快充数据线出货量仍将持续提升。预计到2030年,中国数据线充电协议芯片整体出货量将超70亿颗,市场规模较2023年将翻番,含快充协议的芯片出货量占比预计将接近100%。
    2023年中国数据线充电协议芯片渗透率快速上升
  • 满足严格效率和性能规格且小尺寸的电源,需要搭配什么样的控制器?
    高性能通信、服务器和计算系统中的ASIC、FPGA和处理器需要使用能直接从12 V或中间总线生成1.0 V(或更低)电压的核心电源——最大负载电流有时候可能高于200 A。这些电源必须满足严格的效率和性能规格,且通常具备相对较小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相双输出降压控制器为这些电源提供高性能的灵活解决方案。
  • 意法半导体推出的250W MasterGaN参考设计可加速实现紧凑、高效的工业电源
    为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计,意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。 意法半导体的MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体管与开关速度和控制准确度优化的栅极驱动器。使用高集成度的系统级封装SiP代替采用多个分立元件的等效解决方案,有助于最大限度地提高电源的性能和可靠性,同时
    意法半导体推出的250W MasterGaN参考设计可加速实现紧凑、高效的工业电源
  • FCCM + Output Over Voltage时,BUCK芯片还能正常工作吗?
    [ 为啥BUCK芯片EN都拉低了SW还在打波?] 分析了BUCK芯片输出放电功能。[ 这样的BUCK电源输出放电功能好还是不好?]继续讨论输出放电功能。[ 我把buck拓扑干成了boost拓扑,把母线上其他芯片烧坏了 ]文章可知,BUCK电路在FCCM模式下发生Output Over Voltage行为时,BUCK拓扑会变成BOOST拓扑,从而将输入电压推高,进而可能损坏BUCK芯片本身或者母线电压上的其他芯片或设备。
    FCCM + Output Over Voltage时,BUCK芯片还能正常工作吗?

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