STM32F103使用内部Flash保存参数

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  在我们应用开发时，经常会有一些程序运行参数需要保存，如一些修正系数。这些数据的特点是：数量少而且不需要经常修改，但又不能定义为常量，因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能。将这类数据存在指定的位置，需要修改时直接修改存储位置的数值，需要使用时则直接读取，会是一种方便的做法。考虑到这些数据量比较少，使用专门的存储单元既不经济，也没有必要，而STM32F103内部的Flash容量较大，而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数，实现起来也比较方便。

      以大容量产品STM32F103VE为例，其Flash容量达到512K，可以将其中一部分用作数据存储。如下是大容量的Flash组织模式：

根据上面的Flash组织模式，我们可以根据自己的使用方便来作相应的定义。因为大容量每个扇区定义为2K，而小容量和中容量都定义为1K，所以我们做如下宏定义：

1. #define FLASH_SIZE 512          //所选MCU的FLASH容量大小(单位为K)
   
2. 
   
3. #if FLASH_SIZE<256
   
4.   #define SECTOR_SIZE           1024    //字节
   
5. #else
   
6.   #define SECTOR_SIZE           2048    //字节
   
7. #endif

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虽然ST的库函数比较全面，但都是基本操作，为了使用方面，根据我们自己的需要对其进行再次封装。

      对于读操作相对比较简单，内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，就像读取变量一样

1. //从指定地址开始读取多个数据
   
2. void FLASH_ReadMoreData(uint32_t startAddress,uint16_t *readData,uint16_t countToRead)
   
3. {
   
4.   uint16_t dataIndex;
   
5.   for(dataIndex=0;dataIndex<countToRead;dataIndex++)
   
6.   {
   
7.     readData[dataIndex]=FLASH_ReadHalfWord(startAddress+dataIndex*2);
   
8.   }
   
9. }
   
10. 
    
11. //读取指定地址的半字(16位数据)
    
12. uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
    
13. {
    
14.   return *(__IO uint16_t*)address;
    
15. }
    
16. 
    
17. //读取指定地址的全字(32位数据)
    
18. uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
    
19. {
    
20.   uint32_t temp1,temp2;
    
21.   temp1=*(__IO uint16_t*)address;
    
22.   temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);
    
23.   return (temp2<<16)+temp1;
    
24. }

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对于写操作相对来说要复杂得多，写操作包括对用户数据的写入和擦除。为了防止误操作还有写保护锁。但这些基本的操作ST的库函数已经为我们写好了，我们只需要调用即可。

      STM32复位后，FPEC模块是被保护的，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。STM32闪存的编程每次必须写入16位，任何不是半字的操作都会造成错误。如下图是Flash写的过程：

  STM32的FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是0XFFFF），否则无法写入。Flash的擦除要求必须整页擦除，所以也必须整页写入，否则可能会丢失数据。如下图是Flash页擦除过程：


   如下为Flash全擦除过程，


根据以上图示我们便写数据写入函数如下：

1. //从指定地址开始写入多个数据
   
2. void FLASH_WriteMoreData(uint32_t startAddress,uint16_t *writeData,uint16_t countToWrite)
   
3. {
   
4.   if(startAddress<FLASH_BASE||((startAddress+countToWrite*2)>=(FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE)))
   
5.   {
   
6.     return;//非法地址
   
7.   }
   
8.   FLASH_Unlock();         //解锁写保护
   
9.   uint32_t offsetAddress=startAddress-FLASH_BASE;               //计算去掉0X08000000后的实际偏移地址
   
10.   uint32_t sectorPosition=offsetAddress/SECTOR_SIZE;            //计算扇区地址，对于STM32F103VET6为0~255
    
11.   
    
12.   uint32_t sectorStartAddress=sectorPosition*SECTOR_SIZE+FLASH_BASE;    //对应扇区的首地址
    
13. 
    
14.   FLASH_ErasePage(sectorStartAddress);//擦除这个扇区
    
15.   
    
16.   uint16_t dataIndex;
    
17.   for(dataIndex=0;dataIndex<countToWrite;dataIndex++)
    
18.   {
    
19.     FLASH_ProgramHalfWord(startAddress+dataIndex*2,writeData[dataIndex]);
    
20.   }
    
21.   
    
22.   FLASH_Lock();//上锁写保护
    
23. }

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      在擦除之前应该将页面上的数据读取出来与要写入的数据合并，待擦除后再写入，但这样数据量很大（大容量是2K一个扇区），所以考虑到是少量数据存储，所以每次都将全部数据同时写入，简化操作，也减少数据处理量。经测试以上程序写入和读出数据均正确，可以实现内部Flash的读写操作。需要更深入了解可以参考《STM32F10xxx 闪存编程参考手册》

he129807

很棒，感谢分享