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【学习笔记】关于带铁电存储器的MSP430(TI专家分享)

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    [LV.10]以坛为家III

    发表于 2012-8-24 16:53:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    电和普通FLASH存储器的MCU相比,铁电的优势在于:
    a.       功耗比FLASH更低;相同的工作条件下,FRAM MCU的功耗只有FLASH MCU功耗的3/4左右;
    b.       FRAM MCU在访问存储器时的速度更快,这样在主频较高的时候,无需要访问等待周期就可以访问代码存储器;
    c.       Fram完全代替EEPROM的应用,不需要擦/写等待时间,避免了在写EEPROM过程中突然掉电造成数据丢失;
    d.       SRAM不够的情况下,可以直接用Fram替代SRAM,在对SRAM要求高,对成本又很苛刻的应用中,使用FRAM MCU替代FLASH MCU是很好的选择;

    铁电知识.doc (768.5 KB, 下载次数: 20)
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