铁电和普通FLASH存储器的MCU相比,铁电的优势在于: a. 功耗比FLASH更低;相同的工作条件下,FRAM MCU的功耗只有FLASH MCU功耗的3/4左右; b. FRAM MCU在访问存储器时的速度更快,这样在主频较高的时候,无需要访问等待周期就可以访问代码存储器; c. Fram完全代替EEPROM的应用,不需要擦/写等待时间,避免了在写EEPROM过程中突然掉电造成数据丢失; d. 在SRAM不够的情况下,可以直接用Fram替代SRAM,在对SRAM要求高,对成本又很苛刻的应用中,使用FRAM MCU替代FLASH MCU是很好的选择;
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