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[Linux技术] linux_NandFlash_driver_超详细分析 .

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    [LV.2]偶尔看看I

    发表于 2014-1-22 13:27:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    本帖最后由 forlinx2013 于 2014-1-24 09:39 编辑

    欢迎大家来到飞凌爱板网专区,对嵌入式技术感兴趣的朋友不妨多多关注一下,我们提供了公司所有开发板的所有资料,也会更新大量技术文章,欢迎大家一块学习提高!!!
    今天学习了NandFlash的驱动,硬件操作非常简单,就是这个linux下的驱动比较复杂,主要还是MTD层的问题,用了一下午时间整理出来一份详细的分析,只是分析函数结构和调用关系,具体代码实现就不看了,里面有N个结构体,搞得我头大。
    我用linux2.6.25内核,2440板子,先从启动信息入手。
    内核启动信息,NAND部分:
    S3C24XX NAND Driver, (c) 2004 Simtec Electronics
    s3c2440-nand s3c2440-nand: Tacls=2, 20ns Twrph0=3 30ns, Twrph1=2 20ns
    NAND device: Manufacturer ID: 0xec, Chip ID: 0x76 (Samsung NAND 64MiB 3,3V 8-bit)
    Scanning device for bad blocks
    Creating 3 MTD partitions on "NAND 64MiB 3,3V 8-bit":
    0x00000000-0x00040000 : "boot"
    0x0004c000-0x0024c000 : "kernel"
    0x0024c000-0x03ffc000 : "yaffs2"

    第一行,在driver/mtd/nand/s3c2410.c中第910行,s3c2410_nand_init函数:
    printk("S3C24XX NAND Driver, (c) 2004 Simtec Electronics\n");

    行二行,同一文件,第212行,s3c2410_nand_inithw函数:
    dev_info(info->device, "Tacls=%d, %dns Twrph0=%d %dns, Twrph1=%d %dns\n", tacls, to_ns(tacls, clkrate), twrph0, to_ns(twrph0, clkrate), twrph1, to_ns(twrph1, clkrate));

    第三行,在driver/mtd/nand/nand_base.c中第2346行,
    printk(KERN_INFO "NAND device: Manufacturer ID:" " 0x%02x, Chip ID: 0x%02x (%s %s)\n", *maf_id, dev_id, nand_manuf_ids[maf_idx].name, type->name);

    第四行,在driver/mtd/nand/nand_bbt.c中第380行,creat_bbt函数:
    Printk(KERN INFO " Scanning device for bad blocks \n");

    第五行,在driver/mtd/mtdpart.c中第340行,add_mtd_partitions函数:
    printk (KERN_NOTICE "Creating %d MTD partitions on \"%s\":\n", nbparts, master->name);

    下面三行,是flash分区表,也在mtdpart.c同一函数中,第430行:
    printk (KERN_NOTICE "0x%08x-0x%08x : \"%s\"\n", slave->offset, slave->offset + slave->mtd.size, slave->mtd.name);

    MTD体系结构:
    linux中提供了MTDMemory Technology Device,内存技术设备)系统来建立Flash针对linux的统一、抽象的接口
    引入MTD后,linux系统中的Flash设备驱动及接口可分为4:
    设备节点
    MTD设备层
    MTD原始设备层
    硬件驱动层

    硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责底层硬件设备实际的读、写、擦除,Linux MTD设备的NANDFlash驱动位于driver/mtd/nand子目录下
    s3c2410对应的nand Flash驱动为s3c2410.c
    MTD原始设备层:MTD原始设备层由两部分构成,一部分是MTD原始设备的通用代码,另一部分是各个特定Flash的数据,比如分区
    主要构成的文件有:
    drivers/mtd/mtdcore.c 支持mtd字符设备
    driver/mtd/mtdpart.c  支持mtd块设备
    MTD设备层:基于MTD原始设备,Linux系统可以定义出MTD的块设备(主设备号31) 和字符设备(设备号90),构成MTD设备层

    简单的说就是:使用一个mtd层来作为具体的硬件设备驱动和上层文件系统的桥梁。mtd给出了系统中所有mtd设备(nandnordiskonchip)的统一组织方式。

    mtd层用一个数组struct mtd_info *mtd_table[MAX_MTD_DEVICES]保存系统中所有的设备,mtd设备利用struct mtd_info 这个结构来描述,该结构中描述了存储设备的基本信息和具体操作所需要的内核函数,mtd系统的那个机制主要就是围绕这个结构来实现的。结构体在include/linux/mtd/mtd.h中定义:
    struct mtd_info {
    u_char type;            //MTD 设备类型
    u_int32_t flags;        //MTD设备属性标志
    u_int32_t size;         //标示了这个mtd设备的大小
    u_int32_t erasesize;    //MTD设备的擦除单元大小,对于NandFlash来说就是Block的大小
    u_int32_t oobblock;      //oob区在页内的位置,对于512字节一页的nand来说是512
    u_int32_t oobsize;      //oob区的大小,对于512字节一页的nand来说是16
    u_int32_t ecctype;      //ecc校验类型
    u_int32_t eccsize;      //ecc的大小

    char *name;             //设备的名字
    int index;              //设备在MTD列表中的位置

    struct nand_oobinfo oobinfo; //oob区的信息,包括是否使用eccecc的大小

    //以下是关于mtd的一些读写函数,将在nand_base中的nand_scan中重载
    int (*erase)
    int (*read)
    int (*write)
    int (*read_ecc)
    int (*write_ecc)
    int (*read_oob)
    int (*read_oob)

    void *priv;//设备私有数据指针,对于NandFlash来说指nand芯片的结构

    下面看nand_chip结构,在include/linux/mtd/nand.h中定义:
    struct nand_chip {
    void  __iomem   *IO_ADDR_R;    //这是nandflash的读写寄存器
    void  __iomem     *IO_ADDR_W;
    //以下都是nandflash的操作函数,这些函数将根据相应的配置进行重载
    u_char    (*read_byte)(struct mtd_info *mtd);
    void      (*write_byte)(struct mtd_info *mtd, u_char byte);
    u16       (*read_word)(struct mtd_info *mtd);
    void      (*write_word)(struct mtd_info *mtd, u16 word);
    void     (*write_buf)(struct mtd_info *mtd, const u_char *buf, int len);
    void     (*read_buf)(struct mtd_info *mtd, u_char *buf, int len);
    int     (*verify_buf)(struct mtd_info *mtd, const u_char *buf, int len);
    void     (*select_chip)(struct mtd_info *mtd, int chip);
    int     (*block_bad)(struct mtd_info *mtd, loff_t ofs, int getchip);
    int      (*block_markbad)(struct mtd_info *mtd, loff_t ofs);
    void     (*hwcontrol)(struct mtd_info *mtd, int cmd);
    int      (*dev_ready)(struct mtd_info *mtd);
    void     (*cmdfunc)(struct mtd_info *mtd, unsigned command, int column, int page_addr);
    int      (*waitfunc)(struct mtd_info *mtd, struct nand_chip *this, int state);
    int     (*calculate_ecc)(struct mtd_info *mtd, const u_char *dat, u_char *ecc_code);
    int   (*correct_data)(struct mtd_info *mtd, u_char *dat, u_char *read_ecc, u_char *calc_ecc);
    void    (*enable_hwecc)(struct mtd_info *mtd, int mode);
    void    (*erase_cmd)(struct mtd_info *mtd, int page);
    int     (*scan_bbt)(struct mtd_info *mtd);
    int       eccmode;     //ecc的校验模式(软件,硬件)
    int       chip_delay;  //芯片时序延迟参数
    int       page_shift;  //页偏移,对于512B/页的,一般是9
    u_char    *data_buf;   //数据缓存区

    NAND操作相关的函数:
    1nand_base.c
    定义了NAND驱动中对NAND芯片最基本的操作函数和操作流程,如擦除、读写page、读写oob等。当然这些函数都只是进行一些常规的操作,若你的系统在对NAND操作时有一些特殊的动作,则需要在你自己的驱动代码中进行定义。
    2nand_bbt.c
    定义了NAND驱动中与坏块管理有关的函数和结构体。
    3nand_ids.c
    定义了两个全局类型的结构体:struct nand_flash_dev nand_flash_ids[ ]struct nand_manufacturers nand_manuf_ids[ ]。其中前者定义了一些NAND芯片的类型,后者定义了NAND芯片的几个厂商。NAND芯片的ID至少包含两项内容:厂商ID和厂商为自己的NAND芯片定义的芯片ID。当NAND加载时会找这两个结构体,读出ID,如果找不到,就会加载失败。
    4nand_ecc.c
    定义了NAND驱动中与softeware ECC有关的函数和结构体,若你的系统支持hardware ECC,且不需要software ECC,则该文件也不需理会。

    我们需要关心的是/nand/s3c2410,这个文件实现的是s3c2410/2440nandflash控制器最基本的硬件操作,读写擦除操作由上层函数完成。
    s3c2410.c分析:
    首先看一下要用到的结构体的注册:
    struct s3c2410_nand_mtd {
        struct mtd_info      mtd;   //mtd_info的结构体
        struct nand_chip     chip;  //nand_chip的结构体
        struct s3c2410_nand_set     *set;
        struct s3c2410_nand_info    *info;
        int           scan_res;
    };

    enum s3c_cpu_type {  //用来枚举CPU类型
        TYPE_S3C2410,
        TYPE_S3C2412,
        TYPE_S3C2440,
    };
    struct s3c2410_nand_info {
        /* mtd info */
        struct nand_hw_control      controller;
        struct s3c2410_nand_mtd     *mtds;
        struct s3c2410_platform_nand    *platform;

        /* device info */
        struct device        *device;
        struct resource          *area;
        struct clk        *clk;
        void __iomem         *regs;
        void __iomem         *sel_reg;
        int           sel_bit;
        int           mtd_count;
        unsigned long        save_nfconf;
        enum s3c_cpu_type    cpu_type;
    };

    设备的注册:
    static int __init s3c2410_nand_init(void)
    {
        printk("S3C24XX NAND Driver, (c) 2004 Simtec Electronics\n");

        platform_driver_register(&s3c2412_nand_driver);
        platform_driver_register(&s3c2440_nand_driver);
        return platform_driver_register(&s3c2410_nand_driver);
    }
    platform_driver_register向内核注册设备,同时支持这三种CPU
    &s3c2440_nand_driver是一个platform_driver类型的结构体:

    static struct platform_driver s3c2440_nand_driver = {
        .probe     = s3c2440_nand_probe,
        .remove   = s3c2410_nand_remove,
        .suspend   = s3c24xx_nand_suspend,
        .resume    = s3c24xx_nand_resume,
        .driver    = {
           .name  = "s3c2440-nand",
           .owner = THIS_MODULE,
        },
    };

    最主要的函数就是s3c2440_nand_probe,(调用s3c24XX_nand_probe,完成对nand设备的探测,
    static int s3c24xx_nand_probe(struct platform_device *pdev,
                     enum s3c_cpu_type cpu_type)
    {
           /*主要完成一些硬件的初始化,其中调用函数:*/
           s3c2410_nand_init_chip(info, nmtd, sets);
           /*init_chip结束后,调用nand_scan完成对flash的探测及mtd_info读写函数的赋值*/
    nmtd->scan_res = nand_scan(&nmtd->mtd, (sets) ? sets->nr_chips : 1);
           if (nmtd->scan_res == 0) {
               s3c2410_nand_add_partition(info, nmtd, sets);
           }
    }
    Nand_scan是在初始化nand的时候对nand进行的一步非常好重要的操作,在nand_scan中会对我们所写的关于特定芯片的读写函数重载到nand_chip结构中去,并会将mtd_info结构体中的函数用nand的函数来重载,实现了mtd到底层驱动的联系。
    并且在nand_scan函数中会通过读取nand芯片的设备号和厂家号自动在芯片列表中寻找相应的型号和参数,并将其注册进去。


    static void s3c2410_nand_init_chip(struct s3c2410_nand_info *info,
                     struct s3c2410_nand_mtd *nmtd,
                     struct s3c2410_nand_set *set)
    {
        struct nand_chip *chip = &nmtd->chip;
        void __iomem *regs = info->regs;
        /*以下都是对chip赋值,对应nand_chip中的函数*/
        chip->write_buf    = s3c2410_nand_write_buf;  //buf
        chip->read_buf     = s3c2410_nand_read_buf;   //buf
        chip->select_chip  = s3c2410_nand_select_chip;//片选
        chip->chip_delay   = 50;
        chip->priv    = nmtd;
        chip->options    = 0;
        chip->controller   = &info->controller; //??

        switch (info->cpu_type) {
        case TYPE_S3C2440:
           chip->IO_ADDR_W = regs + S3C2440_NFDATA;  //数据寄存器
           info->sel_reg   = regs + S3C2440_NFCONT;  //控制寄存器
           info->sel_bit = S3C2440_NFCONT_nFCE;
           chip->cmd_ctrl  = s3c2440_nand_hwcontrol; //硬件控制
           chip->dev_ready = s3c2440_nand_devready;  //设备就绪
           chip->read_buf  = s3c2440_nand_read_buf;  //buf
           chip->write_buf   = s3c2440_nand_write_buf;//buf
           break;
        }
        chip->IO_ADDR_R = chip->IO_ADDR_W; //读写寄存器都是同一个
        nmtd->info    = info;
        nmtd->mtd.priv       = chip; //私有数据指针指向chip
        nmtd->mtd.owner    = THIS_MODULE;
        nmtd->set     = set;
        /*后面是和ECC校验有关的,省略*/
    }

    初始化后,实现对nand的基本硬件操作就可以了,包括以下函数:
    s3c2410_nand_inithw  //初始化硬件,在probe中调用
    s3c2410_nand_select_chip  //片选
    s3c2440_nand_hwcontrol  //硬件控制,其实就是片选
    s3c2440_nand_devready  //设备就绪
    s3c2440_nand_enable_hwecc  //使能硬件ECC校验
    s3c2440_nand_calculate_ecc  //计算ECC
    s3c2440_nand_read_buf  s3c2440_nand_write_buf

    注册nand设备到MTD原始设备层:(这个函数由probe调用)
    #ifdef CONFIG_MTD_PARTITIONS   //如果定义了MTD分区
    static int s3c2410_nand_add_partition(struct s3c2410_nand_info *info,
                        struct s3c2410_nand_mtd *mtd,
                        struct s3c2410_nand_set *set)
    {
        if (set == NULL)
           return add_mtd_device(&mtd->mtd);
        if (set->nr_partitions > 0 && set->partitions != NULL) {
           return add_mtd_partitions(&mtd->mtd, set->partitions, set->nr_partitions);
        }
        return add_mtd_device(&mtd->mtd);
    }
    #else
    注册设备用这两个函数:
    add_mtd_device  //如果nand整体不分区,用这个,
    //该函数在mtdcore.c中实现
    add_mtd_partitions  //如果nand是分区结构,用这个,
    //该函数在mtdpart.c中实现
    同样,注销设备也有两个函数:
    del_mtd_device
    del_mtd_partitions

    NandFlash还有一个分区表结构体,mtd_partition,这个是在arch/arm/plat-s3c24XX/common-smdk.c中定义的。

    static struct mtd_partition smdk_default_nand_part[] = {
        [0] = {
           .name  = "boot",
           .size  = 0x00040000,
           .offset    = 0,
        },
        [1] = {
           .name  = "kernel",
           .offset = 0x0004C000,
           .size  = 0x00200000,
        },
        [2] = {
           .name  = "yaffs2",
           .offset = 0x0024C000,
           .size  = 0x03DB0000,
        },
    };
    记录了当前的nand flash有几个分区,每个分区的名字,大小,偏移量是多少
    系统就是依靠这些分区表找到各个文件系统的
    这些分区表nand中的文件系统没有必然关系,分区表只是把flash分成不同的部分

    如果自己编写一个nandflash驱动,只需要填充这三个结构体:
    Mtd_info     nand_chip     mtd_partition
    并实现对物理设备的控制,上层的驱动控制已由mtd做好了,不需要关心

    2410NandFlash控制器
    管脚配置
    D[7:0]: DATA0-7 数据/命令/地址/的输入/输出口(与数据总线共享)
    CLE : GPA17  命令锁存使能 (输出)
    ALE : GPA18  地址锁存使能(输出)
    nFCE : GPA22 NAND Flash 片选使能(输出)
    nFRE : GPA20 NAND Flash 读使能 (输出)
    nFWE : GPA19 NAND Flash 写使能 (输出)
    R/nB : GPA21 NAND Flash 准备好/繁忙(输入)

    相关寄存器:
    NFCONF   NandFlash控制寄存器
    15NandFlash控制器使能/禁止     0 = 禁止   1 = 使能
    1413]保留
    12]初始化ECC解码器/编码器    0 = 不初始化   1 = 初始化
    11]芯片使能  nFCE控制        0 = 使能       1 = 禁止
    108TACLS   持续时间 = HCLK*TACLS+1
    64TWRPH0
    20TWRPH1

    NFCMD  命令设置寄存器
    70] 命令值
    NFADDR 地址设置寄存器
    70] 存储器地址
    NFDATA 数据寄存器
    70] 存放数据
    NFSTAT 状态寄存器
    0]    0 = 存储器忙     1 = 存储器准备好
    NFECC  ECC寄存器
    2316ECC校验码2
    158ECC校验码1
    80]  ECC校验码0

    写操作:
    写入操作以页为单位。写入必须在擦除之后,否则写入将出错。
    页写入周期中包括以下步骤:
    写入串行数据输入指令(80h)。然后写入4个字节的地址,最后串行写入数据(528Byte)。串行写入的数据最多为528byte
    串行数据写入完成后,需要写入“页写入确认”指令10h,这条指令将初始化器件内部写入操作。
    10h写入之后,nand flash的内部写控制器将自动执行内部写入和校验中必要的算法和时序,
    系统可以通过检测R/B的输出,或读状态寄存器的状态位(I/O 6)来判断内部写入是否结束

    擦除操作:
    擦除操作时以块(16K Byte)为单位进行的
    擦除的启动指令为60h,随后的3个时钟周期是块地址。其中只有A14A25是有效的,而A9A13是可以忽略的。
    块地址之后是擦除确认指令D0h,用来开始内部的擦除操作。
    器件检测到擦除确认命令后,在/WE的上升沿启动内部写控制器,开始执行擦除和擦除校验。内部擦除操作完成后,应该检测写状态位(I/O 0),从而了解擦除操作是否成功完成。

    读操作有两种读模式:
    读方式1用于读正常数据;
    读方式2用于读附加数据
    在初始上电时,器件进入缺省的“读方式1模式”。在这一模式下,页读取操作通过将00h指令写入指令寄存器,接着写入3个地址(一个列地址和2个行地址)来启动。一旦页读指令被器件锁存,下面的页操作就不需要再重复写入指令了。
    写入指令和地址后,处理器可以通过对信号线R//B的分析来判断该才作是否完成。
    外部控制器可以再以50ns为周期的连续/RE脉冲信号的控制下,从I/O口依次读出数据
    备用区域的从512527地址的数据,可以通过读方式2指令进行指令进行读取(命令为50h)。地址A0A3设置了备用区域的起始地址,A4A7被忽略掉

    时序要求:
    写地址、数据、命令时,nCEnWE信号必须为低电平,它们在nWE信号的上升沿被锁存。命令锁存使能信号CLE和地址锁存信号ALE用来区分I/O引脚上传输的是命令还是地址。

    寻址方式:
    NAND Flash的寻址方式和NAND Flashmemory组织方式紧密相关。NAND Flash的数据以bit的方式保存在memory cell,一个cell中只能存储一个bit。这些cell8个或者16个为单位,连成bit line,形成byte(x8)/word(x16),这就是NAND的数据宽度。

           这些Line会再组成Page典型情况下:通常是528Byte/page或者264Word/page。然后,每32page形成一个BlockSizeof(block)=16.5kByte。其中528Byte = 512Byte+16Byte,前512Byte为数据区,后16Byte存放数据校验码等,因此习惯上人们称1page512个字节,每个Block16Kbytes
          现在在一些大容量的FLASH存贮设备中也采用以下配置:2112 Byte /page 1056 Word/page64page/BlockSizeof(block) = 132kByte;同上:2112 = 2048 +64,人们习惯称一页含2k个字节,一个Block含有64个页,容量为128KB

           BlockNAND Flash中最大的操作单元,擦除可以按照blockpage为单位完成,而编程/读取是按照page为单位完成的
           所以,按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址:
             -Block  Address   块地址
             -Page   Address   页地址
             -Column Address  列地址
          首先,必须清楚一点,对于NAND Flash来讲,地址和命令只能在I/O[7:0]上传递,数据宽度可以是8位或者16位,但是,对于x16NAND DeviceI/O[15:8]只用于传递数据。
        清楚了这一点,我们就可以开始分析NAND Flash的寻址方式了。
    528Byte/page 总容量64M Byte+512kbyteNAND器件为例:
    因为
    1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)
    1block=32page = 16kbyte
    64Mbyte = 4096 Block

    用户数据保存在main area中。
    512byte需要9bit来表示,对于528byte系列的NAND,这512byte被分成1st half2nd half,各自的访问由所谓的pointer operation命令来选择,也就是选择了bit8的高低。因此A8就是halfpage pointerA[7:0]就是所谓的column address

    32page需要5bit来表示,占用A[13:9]即该page在块内的相对地址。
    Block的地址是由A14以上的bit来表示,例如64MBNAND,共4096block,因此,需要12bit来表示,即A[25:14],如果是1Gbit528byte/pageNAND Flash,共8192block,则block addressA[30:14]表示。

    NAND Flash的地址表示为:
    Block Address  |  Page Address in block  |  half page pointer |  Column Address
    地址传送顺序是Column Address , Page Address , Block Address

    例如一个地址:0x00aa55aa
             0000 0000  1010  1010  0101  0101  1010  1010

    由于地址只能在I/O[7:0]上传递,因此,必须采用移位的方式进行。
    例如,对于64MBx8NAND flash,地址范围是0~0x3FF_FFFF,只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。
           以NAND_ADDR为例:
           第1步是传递column address,就是NAND_ADDR[7:0],不需移位即可传递到I/O[7:0]上, 而halfpage pointerbit8是由操作指令决定的,即指令决定在哪个halfpage上进行读写,而真正的bit8的值是don't care的。
           第2步就是将NAND_ADDR右移9位,将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0];
           第3步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O;
           第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O;
           因此,整个地址传递过程需要4步才能完成,即4-step addressing
           如果NAND Flash的容量是32MB以下,那么,block adress最高位只到bit24,因此寻址只需要3步。
    转载自http://blog.csdn.net/maopig/article/details/8279463
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