IR2110S半桥驱动的国产替代品SLM2110逆变电源移动储能解决方案

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SLM2110是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延时匹配很方便应用于高频设备。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。

SLM2110线路图

特性：
SLM2110 替代IR2110S 移动储能解决方案
为引导操作设计的浮动通道
在+600 V下完全运行
耐受负瞬态电压，dV/dt免疫
栅极驱动电源范围从10 V到20 V
两个通道的欠压锁定
3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容
逻辑和电源接地+/-5V偏移
交叉传导防止逻辑
具有下拉功能的CMOS施密特触发输入
逐周期边缘触发关闭逻辑
两个信道的匹配传播延迟
输出与输入同相
符合RoHS标准
SOIC-16（WB）封装

安森美  FAN7392M

达    尔  DGD2110

鹏芯微  PN7113