CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF),在各种负载条件下都表现出更高的效率。创芯为电子元件批发 特征描述 极低的 VF:1.25V 同类产品中极其优秀的品质因数 (Qc x VF) 无反向恢复电荷 与温度无关的开关行为 高 dv/dt 稳定性 优化热性能 优势 提高各种负载条件下的配置总线效率 增加系统功率密度 降低冷却要求,提高系统可靠性 支持超快速开关轻松有效匹配 CoolMOS™ 7 系列产品 优秀的性价比
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