ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

SHT_d890f1

ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM  (总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V)， 这些产品非常适合驱动以24V 、36V 、48V级电源 供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。

近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各 种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参 数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼 顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了 两者之间的权衡关系。

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装， 实现了仅2.1mQ的业界超低导通电阻(Ron) *2 ，相比以往产品， 导通电阻降低了50% 。另外， 通过改 进栅极结构， Qgd*3   (栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了约40%  (Ron和 Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较) 。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应 用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出 电流范围内，实现了业界超高的电源效率(峰值时高达约95%)。

新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产 。另外， 新产品也已开始电商销售，从 Oneyac 电商平台均可购买。

未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境 保护等社会问题贡献力量。

＜产品阵容＞

＜应用示例＞

◇通信基站和服务器用的电源

◇工业和消费电子产品用的电机

以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。

  

＜术语解说＞

*1) Nch MOSFET

通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。

与Pch MOSFET相比， 由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性， 因而目前在市场上更受欢迎。

*2) 导通电阻(Ron)

MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。

*3) Qgd  (栅-漏电荷)

MOSFET开始导通后， 栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小， 开关速度越快， 开关时的损耗 (功率损耗)越小。

选元器件上唯样商城