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[LV.3]偶尔看看II
独有专利的平面芯片结构设计,满足了产品低内阻需求,优异的短路过流能力与雪崩过压能力,并提供更强的的机械压力耐受能力。
12V系列产品内阻1.8mΩ-10mΩ,满足常见单节电池充电管理需求。严格的品质管理流程,贯穿从设计研发到生产检测全流程品质数据稽核。
> 设计优势:专利的LDMOS结构设计
> 工艺优势:芯片正面15um的Cu工艺
> 制造优势:采用普通Psub衬底材料
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