查看: 521|回复: 0

[经验] CMOS 带隙基准源的设计(IC课程设计报告)

[复制链接]

该用户从未签到

发表于 2023-2-14 16:34:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
分享到:
设计的Bandgap采用的结构是最经典的,本报告详细地介绍了参数如何推导,包括其中运算放大器的设计。并且,在报告的专题讨论(第18页)部分,详细分析了Vref的零温度系数点T0的移动与温度系数的减小,分析了Vref随温度变化出现开口向上和开口向下的原因,同时,也对PTAT电流产生和bandgap结构选择做了分析说明。

CMOS 带隙基准源的设计(IC课程设计报告).pdf

329.18 KB, 下载次数: 5

回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 注册/登录

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /4 下一条



手机版|小黑屋|与非网

GMT+8, 2024-11-22 18:24 , Processed in 0.115094 second(s), 16 queries , MemCache On.

ICP经营许可证 苏B2-20140176  苏ICP备14012660号-2   苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有.

苏公网安备 32059002001037号

Powered by Discuz! X3.4

Copyright © 2001-2024, Tencent Cloud.