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[经验] 一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计

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发表于 2023-2-2 15:49:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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采用 UMC0．6 m BiCMOS工艺设计了一款应用于 LDO的高性能过温保护电路，该电路具有 20℃的温度滞回区间，热关断点温度 160℃、热开启点温度 140℃，同时在输入电压2．5～6V 范围内热关断点、开启点温度最大漂移不超过 6℃，具有较高的精度，满足 LDO宽输入电压范围的要求．

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