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[经验] 基于0.13μm SOI CMOS工艺的高性能LDO设计

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发表于 2023-2-1 11:45:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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基于电子设备对电源管理芯片的需求，本文设计了一种输出电压 2.8 V，最大负载电流为50mA 的高性能低压差线性稳压器（low-dropout regulator，LDO）。

基于0.13μm SOI CMOS工艺的高性能LDO设计.pdf

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