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[经验] 一种基于标准cmos工艺的otp存储器研制

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caroline11

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发表于 2022-12-8 09:25:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本文基于 eMemory 公司的逻辑工艺 OTP 单元，设计了一个存储密度为 1K×13bits的 OTP 存储器，数据宽度为 16bits，工作电压范围为 2V 到 5.5V，电源电压 3V 以上时读取时间不超过 100ns，编程时间不超过 30μs，读取电流不超过 2mA，静态电流典型值为 1μA。

一种基于标准cmos工艺的otp存储器研制.pdf

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