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[经验] 采用二次曲线校正的CMOS带隙基准

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发表于 2022-11-8 21:08:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
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摘 要 :利用 MOS管饱和电流对于"过驱动电压"的平方关系 ,提出一种新颖的电压差平方电路 ,产生相对于温度差的二次项补偿量 ,对典型的 CMOS带隙基准进行曲率校正 ,获得更小的温度系数. 基于某标准 0. 5μm CMOS工艺 ,在 - 40~120 ℃范围内 ,该方法将传统带隙基准的温度系数从 21. 4 ×10
- 6/ ℃减小到 4. 5 ×10- 6/ ℃,电路的输入电压可以低至 1. 8 V ,工作电流 12μA ,输出基准电压可在 0~1. 2 V 之间任意设置.该方法可在任何 CMOS工艺或 BiCMOS工艺中实现 ,具有很强的通用性。

采用二次曲线校正的CMOS带隙基准.pdf

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