查看: 163|回复: 0

[经验] 基于9管单元的高读稳定性低静态功耗存储器设计

[复制链接]

该用户从未签到

发表于 2022-8-24 10:39:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
分享到:
本文针对130nm工艺下存储器的读稳定性和静态功耗问题进行了分析和设计。

基于9管单元的高读稳定性低静态功耗存储器设计_赵慧卓.pdf

12.29 MB, 下载次数: 0

回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 注册/登录

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /4 下一条



手机版|小黑屋|与非网

GMT+8, 2024-11-24 15:39 , Processed in 0.108004 second(s), 16 queries , MemCache On.

ICP经营许可证 苏B2-20140176  苏ICP备14012660号-2   苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有.

苏公网安备 32059002001037号

Powered by Discuz! X3.4

Copyright © 2001-2024, Tencent Cloud.