CMOS 带隙电压基准的误差及其改进

caroline11

摘要: 分析了CM O S 带隙基准电压值的误差, 给出了定量的数学表达式和相应的改进方法。在此理论指导下, 用0. 25 Λm CM O S 工艺设计了一个带隙基准源, 并制出芯片。基准电压的设计值为1. 2 V , 实测结果表明, 在不使用修正技术的情况下, 基准电压值的均方差达3 mV , 温度系数(从- 40 °C～ 100 °C) 为20 ppm ö°C, 电源抑制比(从2～ 3. 3 V ) 80 ΛV öV , 验证了理论分析的正确性。