DDDMOS特性研究与建模

caroline11

从 TCAD 实验 出发 ，研 究 DoubleDiffusedDrainMOSFET(简称 DDDMOS)漂移 区 电 阻与终端电压的非线性 关系以及 大电流效应等；以单位面积下漂移区 自由载流子浓度为基础 ，得 出漂移区电阻的解析模 型。DDDMOS可 以简化成低 压 MOSFET与 漂移 区电阻的 串联 **，结合低 压MOSFET模型和漂移区电阻模型 ，求解等效 **得 出DDDMOS完整的模型。该模 型在 不同的 电压区域都能够较好地反应 TCAD模拟结果。