与温度、电压及工艺涨落无关的CMOS 电流基准

caroline11

利用工作在亚阈值区的 MOS 管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件, 实现了一款全 CMOS 器件的电流基准. 利用 PMOS 管的体效应实现进一步的温度补偿; 利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比; 并利用当工艺发生偏差时 CM OS 管阈值电压、电子( 空穴) 迁移率和亚阈值区 MOS 管漏源电流之间的关系, 降低了工艺涨落对基准电流的影响. 本设计采用 Cadence 公司的 Spectre 软件以及 CSMC 公司的 0. 5 LmCMOS 混合信号模型进行仿真设计, 设计的基准电流中心值为 1. 62 LA. 综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响, 温度系数为 1. 58@ 10- 4 % / e , 电源抑制比为 90. 5 dB, 工艺涨落仅造成基准电流? 3. 5% 的变化.